[發明專利]快速節能單晶硅拉制停爐工藝

有效

• 申請號: 201310163821.2
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN103266348A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 高陽;徐國軍;何俊;于銀
• 申請（專利權）人: 江蘇海翔化工有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種快速節能單晶硅拉制停爐工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1）控制坩堝停止上升，將籽晶軸轉速降低至1～3RPM，將坩堝軸轉速降低至1～3RPM，將籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加熱系統的加熱功率逐漸降低至零；

2）等待15～18分鐘，爐內熔體硅結晶后關閉真空球閥，充入氬氣3～4分鐘，當爐壓升至375～385托時停止充入氬氣，關停真空泵，關閉所有電控設備；

3）等待42～45分鐘，排出步驟2）中充入的氬氣，再次充入氬氣3～4分鐘，當爐壓升至675～685托時停止充入氬氣，等待180～210分鐘，待單晶硅冷卻后拆爐將其取出。

2.如權利要求1所述的快速節能單晶硅拉制停爐工藝，其特征在于：所述步驟1）為：控制坩堝停止上升，將籽晶軸轉速降低至2RPM，將坩堝軸轉速降低至2RPM，將籽晶上升速度保持在2mm/min，控制加熱系統的加熱功率逐漸降低至零。

3.如權利要求1所述的快速節能單晶硅拉制停爐工藝，其特征在于：所述加熱系統為18寸熱場，所述步驟2～3）為：等待15分鐘，爐內熔體硅結晶后關閉真空球閥，充入氬氣3分鐘，當爐壓升至375托時停止充入氬氣，關停真空泵，關閉所有電控設備，等待42分鐘，排出步驟2）中充入的氬氣，再次充入氬氣3分鐘，當爐壓升至675托時停止充入氬氣，等待180分鐘，待單晶硅冷卻后拆爐將其取出。

4.如權利要求1所述的快速節能單晶硅拉制停爐工藝，其特征在于：所述加熱系統為20寸熱場，所述步驟2～3）為：等待18分鐘，爐內熔體硅結晶后關閉真空球閥，充入氬氣4分鐘，當爐壓升至385托時停止充入氬氣，關停真空泵，關閉所有電控設備，等待45分鐘，排出步驟2）中充入的氬氣，再次充入氬氣4分鐘，當爐壓升至685托時停止充入氬氣，等待210分鐘，待單晶硅冷卻后拆爐將其取出。