[發(fā)明專利]同時具有表面鈍化的鋁蝕刻后殘留物移除有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310163040.3 | 申請日： | 2013-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN103305355B | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 魏嘉瑩 | 申請（專利權）人： | EKC技術公司 |
| 主分類號： | C11D7/50 | 分類號： | C11D7/50;C11D7/60;C11D7/32;B08B3/08;C23C22/56 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 王穎 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 同時 具有 表面 鈍化 蝕刻 殘留物 | ||
1.一種半導體清潔組合物，其包括：
(a)50wt％至90wt％的一種或多種水混溶性有機溶劑，所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：四氫糠醇、乙二醇醚、二甘醇醚、脂肪族醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)丁砜和二甲亞砜；
(b)0.1wt％至1.0wt％的一種或多種氟化物，所述氟化物選自由以下物質構成的組：氟化銨、氟化氫銨、和四烷基氟化銨；
(c)1wt％至5wt％的一種或多種鰲合劑，所述鰲合劑選自以下物質：有機酸、和胺；以及
(d)50ppm至20000ppm的化學式為R-COOH的鏈烷酸，其中R是分子式為CnH2n+1的直鏈或支鏈烷基，n是4至19。
2.如權利要求1所述的半導體清潔組合物，其中所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：二丙二醇和丙三醇。
3.如權利要求1所述的半導體清潔組合物，其中所述鰲合劑選自以下物質：膦酸、亞氨基二乙酸和磺酸。
4.如權利要求1所述的半導體清潔組合物，其中所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：烷基二醇。
5.如權利要求1所述的半導體清潔組合物，其與Al、TiN、TaN、NiSi、和氧化硅兼容。
6.一種在FEOL工藝中移除半導體襯底表面上的蝕刻后殘留物的方法，其中所述半導體襯底表面包括Al，所述方法包括向具有所述蝕刻后殘留物的表面上施加有效數量的組合物，所述組合物包括：
(a)50wt％至90wt％的一種或多種水混溶性有機溶劑，所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：四氫糠醇、乙二醇醚、二甘醇醚、脂肪族醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)丁砜和二甲亞砜；
(b)0.1wt％至1.0wt％的一種或多種氟化物，所述氟化物選自由以下物質構成的組：氟化銨、氟化氫銨、和四烷基氟化銨；
(c)1wt％至5wt％的一種或多種鰲合劑，所述鰲合劑選自以下物質：有機酸、和胺；以及
(d)50ppm至20000ppm的化學式為R-COOH的鏈烷酸，其中R是分子式為CnH2n+1的直鏈或支鏈烷基，n是4至19，
由此移除了所述蝕刻后殘留物且同時鈍化了所述Al表面。
7.如權利要求6所述的方法，其中所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：二丙二醇和丙三醇。
8.如權利要求6所述的方法，其中所述鰲合劑選自以下物質：膦酸、亞氨基二乙酸和磺酸。
9.如權利要求6所述的方法，其中所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：烷基二醇。
10.在用于FEOL處理的半導體清潔組合物中，其中從包含Al的半導體表面移除蝕刻后殘留物，所述清潔組合物包括：
(a)50wt％至90wt％的一種或多種水混溶性有機溶劑，所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：四氫糠醇、乙二醇醚、二甘醇醚、脂肪族醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)丁砜和二甲亞砜；
(b)0.1wt％至1.0wt％的一種或多種氟化物，所述氟化物選自由以下物質構成的組：氟化銨、氟化氫銨、和四烷基氟化銨；以及
(c)1wt％至5wt％的一種或多種鰲合劑，所述鰲合劑選自以下物質：有機酸、和胺；
改進包括向所述組合物中摻雜50ppm至20000ppm的化學式為R-COOH的鏈烷酸，其中R是分子式為CnH2n+1的直鏈或支鏈烷基，n是4至19。
11.如權利要求10所述的組合物，其中所述水混溶性有機溶劑選自由以下物質構成的組：二丙二醇和丙三醇。
12.如權利要求10所述的組合物，其中所述鰲合劑選自以下物質：膦酸、亞氨基二乙酸和磺酸。
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