[發明專利]一種銅銦鎵硒薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201310162903.5 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103280486A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 徐東;徐永清;葉帥 | 申請(專利權)人: | 深圳市亞太興實業有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;彭愿潔 |
| 地址: | 518103 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 銅銦鎵硒 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種銅銦鎵硒薄膜的制備方法,其特征在于,包括:
配制步驟:配制銅銦鎵硒前驅溶膠;
涂覆步驟:非真空條件下,將所述銅銦鎵硒前驅溶膠涂覆到襯底上,得到銅銦鎵硒前驅薄膜;
生成步驟:對所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜進行熱處理,冷卻后即制成銅銦鎵硒薄膜。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述配制步驟包括:將CuSe納米顆粒和(In1-xGax)2Se3納米顆粒分別均勻分散在分散劑中,得到銅銦鎵硒前驅溶膠。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于:
所述銅銦鎵硒前驅溶膠中Cu離子濃度控制在0.2摩爾/升~1摩爾/升;
所述分散劑選自甲醇、乙醇、環己烷、甲苯、二甲苯和己硫醇中的任一種;
所述CuSe納米顆粒和(In1-xGax)2Se3納米顆粒的粒徑小于等于50納米。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述涂覆步驟中,根據需要制備的薄膜的厚度,將所述銅銦鎵硒前驅溶膠涂覆到襯底上,執行所述涂覆至少一次,每進行一次涂覆后,對涂覆得到的銅銦鎵硒前驅薄膜進行烘干。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于:
所述涂覆步驟中使用旋轉涂膜法進行涂覆,其中,旋涂機的轉速控制在500轉/分鐘~5000轉/分鐘,涂膜時間為1分鐘~5分鐘;或者,所述涂覆步驟中使用浸漬提拉法進行涂覆,其中,提拉機的速率控制在0.1厘米/分鐘~10厘米/分鐘,浸泡時間控制在1分鐘~5分鐘;
所述烘干的溫度控制在200℃~400℃。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述生成步驟具體包括:
燒結子步驟,將所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜放到氣氛退火爐中,將所述氣氛退火爐以預定升溫速率升溫到預定最高溫度,并在所述預定最高溫度下保溫預定時間;
冷卻子步驟,將熱處理后的銅銦鎵硒前驅薄膜隨爐冷卻到室溫,即制成銅銦鎵硒薄膜。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,所述預定升溫速率為10℃/s~100℃/s,所述預定最高溫度為350℃~650℃,所述預定時間為0.5小時~5小時。
8.如權利要求6所述的方法,其特征在于,在將所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜放到氣氛退火爐后,通入惰性氣氛。
9.如權利要求6所述的方法,其特征在于,所述燒結子步驟中,在所述氣氛退火爐升溫到200℃~400℃時,通入的含硒氣氛,所述冷卻子步驟中,當溫度降至300℃~200℃時,停止含硒氣氛的通入。
10.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述含硒氣氛為硒蒸氣或H2Se氣體,其流量為0.1L/min~4L/min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





