[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310159996.6
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN104134728B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;陳耀;張楠;楊杰;袁根如;陳誠
• 申請（專利權(quán)）人: 上海藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/22
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一生長襯底，于所述生長襯底表面形成至少包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；

2)采用光刻工藝形成N電極制備區(qū)域；

3)采用干法刻蝕或濕法腐蝕法對所述P型層欲制備P電極的區(qū)域的表面制備圖案化結(jié)構(gòu)；

4)于所述圖案化結(jié)構(gòu)表面形成金屬反射鏡；

5)于所述金屬反射鏡表面形成透明絕緣層，形成金屬反射鏡/透明絕緣層結(jié)構(gòu)；

6)于所述P型層及透明絕緣層表面形成電流擴(kuò)展層；

7)于所述N電極制備區(qū)域表面制作N電極，于所述電流擴(kuò)展層表面制作P電極，形成所述發(fā)光二極管，其中，位于所述發(fā)光二極管P電極下方的所述金屬反射鏡/透明絕緣層結(jié)構(gòu)在大大地降低P電極對光線的吸收的同時節(jié)約電流，并通過對所述金屬反射鏡下方的P型層進(jìn)行粗化，增加出光概率，并且有益于P電極的牢固性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN/GaN多量子阱層，所述P型層為P-GaN層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟3)包括以下步驟：

3-1)于所述P型層表面制備光刻掩膜層；

3-2)于所述P型層表面的光刻掩膜層上，在欲制備P電極的區(qū)域進(jìn)行制作圖案化結(jié)構(gòu)的光刻圖形；

3-3)采用干法刻蝕法或者濕法腐蝕法制備圖案化結(jié)構(gòu)圖形；

3-4)去除制作圖案化結(jié)構(gòu)的光刻圖形及光刻掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述圖案化結(jié)構(gòu)的圖形高度不大于100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟4)包括以下步驟：

4-1)于所述P型層表面制作于所述圖案化結(jié)構(gòu)處具有沉積窗口的光刻膠；

4-2)于所述沉積窗口及所述光刻膠表面形成高反射金屬層；

4-3)采用剝離工藝去除所述光刻膠及光刻膠表面的高反射金屬層，以于所述圖案化結(jié)構(gòu)表面處形成金屬反射鏡。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟4-2)中，采用濺射法或蒸鍍法形成所述高反射金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述金屬反射鏡為Al/Ni/Au疊層、Ag/Ni/Au疊層、Al/Cr/Au疊層、Ag/Cr/Au疊層、Al/Cr/Pt疊層、或Ag/Cr/Pt疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述金屬反射鏡及透明絕緣層的總厚度不大于750nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟7)后還包括對所述生長襯底進(jìn)行減薄及減薄后制作背鍍反射鏡的步驟。