[發明專利]LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201310157090.0
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103258929A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 于洪波;于婷婷;朱學亮;汪洋
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED芯片，包括：

第一類型外延層；

發光外延層，設置于所述第一類型外延層的一側；

第二類型外延層，設置于所述發光外延層背離所述第一類型外延層一側，所述第二類型外延層包括第二類型被覆層和第二類型接觸層，所述第二類型被覆層設置于面向所述發光外延層的一側，所述第二類型接觸層設置于背離所述發光外延層的一側，所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側的表面具有溝槽，所述溝槽至少貫穿所述第二類型接觸層；

第一電極，與所述第一類型外延層電相連，用于向所述第一類型外延層提供電壓；

第二電極，設置于所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側，并覆蓋所述溝槽。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述溝槽貫穿所述第二類型外延層。

3.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，還包括一無摻雜外延層設置于所述發光外延層和所述第二類型外延層之間。

4.如權利要求1或3中所述的LED芯片，其特征在于，所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側還具有一透明導電層，所述透明導電層位于所述溝槽以外的所述發光外延層的表面。

5.如權利要求1或3所述的LED芯片，其特征在于，所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側還具有一透明導電層，所述透明導電層位于所述溝槽內以及所述發光外延層的表面。

6.如權利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層和所述溝槽之間還具有一電流阻擋層。

7.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極位于所述第一類型外延層背離所述發光外延層一側或位于所述第一類型外延層面向所述發光外延層一側。

8.一種LED芯片的制備方法，包括：

提供第一類型外延層；

在所述第一類型外延層一側制備發光外延層；

在所述發光外延層背離所述第一類型外延層一側制備第二類型外延層，所述第二類型外延層包括第二類型被覆層和第二類型接觸層，所述第二類型被覆層設置于面向所述發光外延層的一側，所述第二類型接觸層設置于背離所述發光外延層的一側；

選擇性刻蝕所述第二類型外延層，以在所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側的表面形成溝槽，所述溝槽至少貫穿所述第二類型接觸層；

制備第一電極和第二電極，所述第一電極與所述第一類型外延層電相連，以為所述第一類型外延層提供電壓，所述第二電極設置于所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側，并覆蓋所述溝槽。

9.如權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述溝槽貫穿所述第二類型外延層。

10.如權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述發光外延層和所述第二類型外延層之間制備一無摻雜外延層。

11.如權利要求8或10所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側制備一透明導電層，所述透明導電層位于所述溝槽以外的所述發光外延層的表面。

12.如權利要求8或10所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述第二類型外延層背離所述發光外延層一側制備一透明導電層，所述透明導電層位于所述溝槽內以及所述發光外延層的表面。

13.如權利要求12所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述透明導電層和所述溝槽之間制備一電流阻擋層。

14.如權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述第一類型外延層背離所述發光外延層一側或所述第一類型外延層面向所述發光外延層一側制備所述第一電極。