[發(fā)明專利]一種開關(guān)機(jī)電路和一種電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310156913.8
• 申請(qǐng)日: 2013-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN103297014A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓盈盈;吳凡;李坡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島歌爾聲學(xué)科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝;何立春

1.一種開關(guān)機(jī)電路，其特征在于，所述開關(guān)機(jī)電路包括撥動(dòng)開關(guān)、二極管、第一電阻、第一電容、N-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第二電阻、電源連接端和供電端；其中，撥動(dòng)開關(guān)具有第一連接端、第二連接端和第三連接端；

撥動(dòng)開關(guān)的第一連接端接地；

撥動(dòng)開關(guān)的第二連接端與二極管的正極和第一電阻的一端相連；二極管的負(fù)極與第一電阻的另一端、第一電容的一端和N-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極相連；第一電容的另一端接地；

撥動(dòng)開關(guān)的第三連接端與電源連接端、第二電阻的一端和P-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極相連；第二電阻的另一端與N-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和P-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極相連；N-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極接地；P-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極接供電端。

2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括一個(gè)用于消除撥動(dòng)開關(guān)在檔位切換過(guò)程中出現(xiàn)的電平抖動(dòng)的第二電容；

所述第二電容的一端與撥動(dòng)開關(guān)的第一連接端相連，另一端接地。

3.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述第二電容的電容值為100nF。

4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括一個(gè)電池；所述電池與電源連接端相連。

5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述電池的電壓為3.7V。

6.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括一個(gè)用于消除電源上紋波的第三電容；

所述第三電容的一端與供電端相連，另一端接地。

7.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第三電容的電容值為10μF。

8.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述二極管的型號(hào)為PMEG2005EB;第一電阻的阻值為1MΩ；第一電容的電容值為4.7μF；N-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的型號(hào)為L(zhǎng)SI1012XT1G；P-MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的型號(hào)為L(zhǎng)P2307LT1G；第二電阻的阻值為1MΩ。

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電路。