[發明專利]金屬蒸鍍裝置的鍍金盤

有效

• 申請號: 201310156160.0
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103225069A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 史燕萍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/24;G01N1/28;G01N1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體制造裝備技術領域，尤其是一種應用于金屬蒸鍍裝置的鍍金盤。

背景技術

在半導體制造領域的失效分析實驗室中，常用掃描電子顯微鏡SEM來分析材料表面形貌及觀察成像的材料表征。掃描電子顯微鏡主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態，即用極狹窄的電子束去掃描樣品，通過電子束與樣品的相互作用使得樣品產生二次電子發射，二次電子能夠產生樣品表面放大的形貌像，這個像是在樣品被掃描時按時序建立起來的，即使用逐點成像的方法獲得放大像。當掃描電子顯微鏡應用于不導電的樣品時，需要通過蒸鍍金、鉑、鈀等金屬元素消除不導電樣品的荷電現象，并可以提高觀測效果。

現有的金屬蒸鍍裝置的結構示意圖可以參見附圖1，該蒸鍍裝置包括真空室（1），用于維持所述真空室（1）的真空度的真空泵（2），用于產生氣化金屬小粒子的蒸鍍源（3），用于承載多個樣品（5）的鍍金盤（4’）。一般情況下，樣品（5）被直接放置在鍍金盤（4’）上進行蒸鍍。然而，在半導體芯片失效分析實驗中，樣品的制備方法較為特殊，需要觀測樣品的截面或者表面的形貌特征，很多時候樣品高度不一且數量較多，因此往往需要分為多次來進行蒸鍍，工作效率降低了許多。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，改良金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，提高樣品的蒸鍍效率。

為了解決上述技術問題，本發明提出了一種金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，包括基體，尤其的，在所述基體的一個表面上開設有多個條狀的槽，所述多個槽具有兩種以上的槽深度尺寸，且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。

優選的，所述槽的深度尺寸為固定的兩種；或者，相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加；或者，槽的深度尺寸根據該槽距離基體的中心的距離遠近逐漸改變。

優選的，所述槽包括多個沿著第一方向延伸的第一槽、以及多個沿著第二方向延伸的第二槽，第一方向與第二方向不平行，且第一槽具有第一深度、第二槽具有第二深度，第一深度不第二深度不同。

本發明的技術方法通過巧妙合理地設計，在同一個鍍金盤上放置不同高度的樣品同時達到截面與表面都鍍上金屬粒子的效果，提高了蒸鍍效率，對失效分析、結構分析等提供了極大的幫助。以下將通過實施例對本發明的結構與優點展開進一步闡述。

附圖說明

通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。

圖1是現有技術中一種金屬蒸鍍裝置的結構示意圖；

圖2是本發明鍍金盤的立體圖；

圖3是圖2的主視圖；

圖4是圖2的鍍金盤承載了樣品的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的實施例作詳細說明：本實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式，但本發明的保護范圍不限于下述的實施例。

參見圖2、圖3，本發明提供了一種改進的金屬蒸鍍裝置的鍍金盤4，其首先包括一個大致呈圓盤狀的基體40，并且，在所述基體40的一個表面上的開設了多個條狀的槽。

所述槽包括多個沿著第一方向延伸的第一槽41、以及多個沿著第二方向延伸的第二槽42，第一方向與第二方向不平行，在本實施例中，第一方向與第二方向垂直。在其它的實施方式中，第一方向還可以與第二方向呈30°、45°、60°等。所述第一槽41、第二槽42縱橫交錯，因此能夠布置更多的樣品5。

為了能夠滿足不同樣品的高度需求，槽組41中的槽的具體深度按照不同樣品的高度來設定成具有不同深度尺寸。例如，在本實施例中，第一槽41與第二槽42分別具有1毫米與5毫米的兩種深度尺寸。在其它實施方式中，還可以使得相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加，或者是槽的深度尺寸根據該槽距離基體40的中心的距離遠近漸進改變，例如距離中心最近處的槽的深度為5毫米，與其相鄰的槽的深度為4.5毫米，再遠處的槽的深度為4毫米，……，直至最邊緣處的槽的深度為1毫米。

為了滿足半導體芯片制造領域對于端面和表面同時鍍金的要求，槽的深度方向與基體40表面呈銳角，例如45°、60°等，此時樣品與基體40表面傾斜布置，因而能夠同時進行端面與表面的鍍金。

槽的寬度為可根據實際樣品厚度來設計。