[發(fā)明專利]雙半橋注入鎖相發(fā)光二極管LED陣列燈

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310156033.0
• 申請(qǐng)日: 2013-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN104105254B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阮樹成;阮雪芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阮雪芬
• 主分類號(hào): H05B37/02
• 分類號(hào): H05B37/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙半橋注入鎖相發(fā)光二極管LED陣列燈，包括電源濾波器EMI、整流橋堆、發(fā)光二極管LED陣列燈，其特征在于：還包括功率因數(shù)校正APFC、基準(zhǔn)晶振、分頻器、兩個(gè)自振蕩芯片、半橋逆變器A、半橋逆變器B、相加耦合器、全波整流器、燈管異常電流檢測(cè)器，其中，基準(zhǔn)晶振由石英晶體諧振器、兩個(gè)反相器及電阻、電容組成，第一個(gè)反相器輸入與輸出兩端跨接偏置電阻，并分別并接接地電容，同時(shí)，還跨接串聯(lián)微調(diào)電容的石英晶體諧振器，基準(zhǔn)晶振輸出信號(hào)經(jīng)第二個(gè)反相器接入分頻器，自振蕩芯片內(nèi)含RC振蕩器、半橋逆變驅(qū)動(dòng)電路，兩個(gè)自振蕩芯片RC振蕩器共接電阻R₁₁、電容C₁₅同步振蕩，輸出分別經(jīng)半橋逆變驅(qū)動(dòng)電路連接均由兩個(gè)功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管互補(bǔ)組成的半橋逆變器A、半橋逆變器B，自振蕩芯片及半橋逆變器A輸出功率變壓器T₂與自振蕩芯片及半橋逆變器B輸出功率變壓器T₃反相饋入相加耦合器，功率合成饋送全波整流器點(diǎn)燃發(fā)光二極管LED陣列燈，基準(zhǔn)晶振信號(hào)經(jīng)分頻器注入兩個(gè)自振蕩芯片RC振蕩器C_T端鎖定相位，燈管異常電流檢測(cè)器信號(hào)經(jīng)三極管接入兩個(gè)自振蕩芯片RC振蕩器C_T端快速停振，電網(wǎng)電源經(jīng)電源濾波器EMI、整流橋堆、功率因數(shù)校正APFC輸出電壓分別接入基準(zhǔn)晶振、分頻器、自振蕩芯片及半橋逆變器A、自振蕩芯片及半橋逆變器B的電源端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙半橋注入鎖相發(fā)光二極管LED陣列燈，其特征在于：全波整流電路由兩個(gè)大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q₄、Q₅源極接相加耦合器T₄電感L₁₁兩端，柵極接分壓電阻偏置，源極、漏極并聯(lián)整流二極管，漏極并接為推挽全波整流輸出端，電感L₁₁中點(diǎn)穿過燈電流檢測(cè)互感磁環(huán)接地，電感L₁₂接二極管VD₁₇檢波，電容C₂₀、電阻R₂₂濾波經(jīng)電阻接兩個(gè)自振蕩芯片RC振蕩器C_T端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙半橋注入鎖相發(fā)光二極管LED陣列燈，其特征在于：功率因數(shù)校正APFC由芯片IC₄、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q₁、升壓二極管VD₁₁、磁性變壓器T₁及電阻、電容組成，整流橋堆輸出經(jīng)磁性變壓器T₁電感L₃接Q₁漏極、升壓二極管VD₁₁至電容C₁₁作為功率因數(shù)校正APFC輸出，電阻R₄接整流橋堆輸出引入芯片IC₄電源端，并與磁性變壓器T₁電感L₄經(jīng)二極管VD₅檢波電壓為芯片IC₄控制門限開啟，電阻R₂、R₃接整流橋堆輸出分壓取樣接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接電阻R₈、R₉分壓取樣輸出電壓，乘法器輸出與Q₁源極接地電阻點(diǎn)連接峰值電流檢測(cè)比較器，芯片IC₄輸出接Q₁柵極，磁性變壓器T₁電感L₅高頻電壓由二極管VD_6～9整流、二極管VD₁₀穩(wěn)壓、電容C₁₂濾波接基準(zhǔn)晶振、分頻器電源端。