[發明專利]托盤及等離子體加工設備

在審

• 申請號: 201310152358.1
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN104124127A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 劉利堅
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種托盤，用于承載被加工工件，并借助熱交換氣體對被加工工件的溫度進行調節，其特征在于，在所述托盤的上表面形成有凹部，所述凹部的數量和位置與所述被加工工件的數量和位置一一對應，并且每個所述凹部和與之一一對應的所述被加工工件的下表面的中心區域之間形成閉合空間，并且?

在所述凹部的底面上分布有多個進氣孔，所述熱交換氣體經由所述進氣孔流入所述閉合空間內。?

2.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，在所述托盤的上表面且位于每個所述凹部的周邊形成有密封區域，每個所述密封區域和相應的所述被加工工件的下表面的邊緣區域相貼合，以對所述閉合空間進行密封。?

3.根據權利要求2所述的托盤，其特征在于，位于每個所述密封區域的所述托盤的上表面的粗糙度的范圍在0.1～1μm。?

4.根據權利要求2所述的托盤，其特征在于，所述密封區域在其徑向上的寬度的范圍在0.5～10mm。?

5.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，所述凹部的深度的范圍在1～100μm。?

6.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，在每個所述凹部底面上分布的所有所述進氣孔中，最靠近所述凹部的底面邊緣的進氣孔與所述凹部的底面邊緣之間的間距的范圍在0.5～5mm。?

7.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，所述凹部的底面的粗糙度大于0.6μm。?

8.根據權利要求3-7任意一項權利要求所述的托盤，其特征在于，位于每個所述密封區域的所述托盤的上表面的粗糙度為0.4μm。?

9.根據權利要求3-7任意一項權利要求所述的托盤，其特征在于，所述凹部的底面的粗糙度為1.6μm。?

10.根據權利要求3-7任意一項權利要求所述的托盤，其特征在于，所述凹部的深度為10μm。?

11.根據權利要求3-7任意一項權利要求所述的托盤，其特征在于，所述密封區域在其徑向上的寬度為5mm。?

12.根據權利要求3-7任意一項權利要求所述的托盤，其特征在于，在每個所述凹部底面上分布的所有所述進氣孔中，最靠近所述凹部的底面邊緣的進氣孔與所述凹部的底面邊緣之間的間距為1.2mm。?

13.根據權利要求1所述的托盤，其特征在于，所述熱交換氣體包括氦氣、氬氣或氮氣。?

14.一種等離子體加工設備，包括反應腔室、位于所述反應腔室內的夾持裝置，以及置于所述夾持裝置上的托盤，所述托盤用于承載被加工工件，并借助熱交換氣體對被加工工件的溫度進行調節，其特征在于，所述托盤采用了權利要求1-13任意一項權利要求所述的托盤。?

15.根據權利要求14所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述夾持裝置包括機械卡盤和直流電源，其中?

所述機械卡盤采用機械固定的方式將所述托盤固定在其上表面；?

所述直流電源用于向所述托盤供電，以使所述托盤采用靜電引力的方式將所述被加工工件固定在其上表面；并且?

所述托盤采用導電材料制作，并在所述導電材料的表面包覆絕緣材料，所述導電材料作為托盤電極；所述托盤電極與所述直流電源電連接。?

16.根據權利要求14所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述夾持裝置包括機械卡盤和直流電源，其中?

所述機械卡盤采用機械固定的方式將所述托盤固定在其上表面；?

所述直流電源用于向所述托盤供電，以使所述托盤采用靜電引力的方式將所述被加工工件固定在其上表面；并且?

所述托盤采用絕緣材料制作，并在所述絕緣材料內部埋設托盤電極，所述托盤電極采用導電材料制作，且與所述直流電源電連接。?