[發明專利]具有貫穿過孔的芯片的連接

有效

• 申請號: 201310151646.5
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN103383936B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: S·喬布洛特;P·巴爾
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

1.一種半導體器件，包括：

襯底，包括由側壁限定的貫穿過孔；

在所述貫穿過孔的所述側壁之上的傳導材料；

可變形絕緣材料，位于所述傳導材料上并且填充所述貫穿過孔，所述可變形絕緣材料具有中心軸線和與所述中心軸線垂直的第一寬度；以及

連接元件，布置于所述可變形絕緣材料的相對端并且在所述可變形絕緣材料的所述中心軸線周圍，所述連接元件具有平行于所述可變形絕緣材料的所述第一寬度的第二寬度，所述第二寬度小于所述可變形絕緣材料的所述第一寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傳導材料是銅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述可變形絕緣材料是聚硅氧烷聚合物。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述連接元件是被配置為連接到凸塊的焊盤或者金屬區域。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述連接元件是傳導材料柱。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述連接元件是被配置為連接到凸塊的銅柱。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傳導材料中的至少一些傳導材料延伸超出所述貫穿過孔。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述連接元件耦合到延伸超出所述貫穿過孔的所述傳導材料。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述襯底是硅。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述傳導材料以下位于所述貫穿過孔的所述側壁上的絕緣層。

11.一種用于制作半導體器件的方法，包括：

在襯底中蝕刻通孔，每個通孔具有側壁；

在所述通孔中沉積傳導材料；

通過蝕刻每個通孔的所述傳導材料的中心部分在所述傳導材料中形成開口；

用可變形絕緣材料填充所述開口中的每個開口，所述可變形絕緣材料具有中心軸線和與所述中心軸線垂直的第一寬度；以及

形成位于所述通孔的每一端處并且面向所述可變形絕緣材料的連接元件，所述連接元件具有沿平行于所述第一寬度的方向延伸的第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述襯底是硅。

13.根據權利要求11所述的方法，其中當在所述通孔中沉積傳導材料之前，在所述通孔的所述側壁上沉積絕緣層。

14.根據權利要求11所述的方法，其中在所述通孔中沉積所述傳導材料包括在所述通孔中沉積所述傳導材料，并且使部分延伸超出所述通孔，每個連接元件耦合到所述傳導材料的延伸超出所述通孔的所述部分。

15.一種半導體組件，包括：

集成電路器件，在上表面上具有多個鍵合焊盤；

襯底，具有第一表面和第二表面并且具有由側壁限定的貫穿過孔，所述貫穿過孔具有中心軸線；

在所述貫穿過孔的所述側壁之上的傳導材料；

可變形絕緣材料，在所述傳導材料之上并且填充所述貫穿過孔，所述可變形絕緣材料具有與所述中心軸線垂直的第一寬度；以及

在所述襯底的所述第一表面和所述第二表面處位于所述貫穿過孔的每一端處并且面向所述可變形絕緣材料的相應連接元件，在所述第一表面處的所述連接元件電耦合到所述集成電路的相應鍵合焊盤，每一個所述相應連接元件具有平行于所述可變形絕緣材料的所述第一寬度并且小于所述第一寬度的第二寬度。

16.根據權利要求15所述的半導體組件，其中襯底是硅。

17.根據權利要求15所述的半導體組件，其中所述貫穿過孔的絕緣側壁包括在所述傳導材料以下沿著所述貫穿過孔的所述側壁沉積的絕緣層。

18.根據權利要求15所述的半導體組件，其中所述可變形絕緣材料是聚合物。

19.根據權利要求18所述的半導體組件，其中所述聚合物是聚硅氧烷。