[發(fā)明專利]異質(zhì)接面雙極晶體管布局結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310146581.5 | 申請日： | 2013-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN104124270B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蔡緒孝;張修誠;高谷信一郎;林正國 | 申請（專利權(quán)）人： | 穩(wěn)懋半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737;H01L29/417;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11139 | 代理人： | 孫皓晨,李涵 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 異質(zhì)接面 雙極晶體管 布局 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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