[發明專利]壓電裝置以及壓電裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201310143652.6
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103378818A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 早坂太一;水澤周一
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/10;H03H3/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種壓電裝置，為表面安裝型的壓電裝置，所述壓電裝置的特征在于包括：

壓電振動片，包含以規定的振動頻率而振動的振動部；

基底板，在所述基底板的一方的主面形成一對安裝端子，在所述基底板的另一方的主面載置所述壓電振動片，所述安裝端子包含通過濺鍍或者真空蒸鍍而形成的金屬膜、以及形成在所述金屬膜表面的無電解鍍敷膜，且所述安裝端子被用于所述壓電裝置的安裝；以及

蓋板，在所述蓋板的一方的主面形成金屬膜、以及在所述金屬膜的表面通過無電解鍍敷而形成的無電解鍍敷膜，并以所述蓋板的另一方的主面密封所述振動部，

在所述基底板的所述一方的主面形成的所述無電解鍍敷膜、與在所述蓋板的一方的主面形成的所述無電解鍍敷膜是：形成為彼此相同的形狀、相同的面積。

2.根據權利要求1所述的壓電裝置，其特征在于，

所述壓電振動片具有：所述振動部、包圍所述振動部的框部、及連結所述振動部與所述框部的連結部，

所述基底板與所述蓋板經由所述框部而接合。

3.根據權利要求1所述的壓電裝置，其特征在于，

所述一對安裝端子的所述金屬膜形成為兩層，進而在該金屬膜的表面形成所述無電解鍍敷膜。

4.根據權利要求1至3中任一所述的壓電裝置，其特征在于，

所述無電解鍍敷膜包含鎳層，所述鎳層的膜厚為1μm～3μm。

5.根據權利要求4所述的壓電裝置，其特征在于，

在所述無電解鍍敷膜的所述鎳層的表面形成金層。

6.一種壓電裝置的制造方法，所述壓電裝置為表面安裝型的壓電裝置，所述壓電裝置的制造方法的特征在于包括：

壓電振動片準備工序，準備多個壓電振動片，所述壓電振動片包含以規定的振動頻率而振動的振動部；

基底晶片準備工序，準備具有多個基底板的基底晶片；

基底用金屬膜形成工序，在所述基底晶片的一方的主面，形成通過濺鍍或者真空蒸鍍而形成的金屬膜；

蓋晶片準備工序，準備具有多個蓋板的蓋晶片；

載置工序，在所述基底晶片的另一方的主面載置所述多個壓電振動片；

接合工序，將所述蓋晶片的另一方的主面以密封所述振動部的方式，接合于所述基底晶片的另一方的主面；

蓋用金屬膜形成工序，在所述蓋晶片準備工序之后且所述載置工序之前、或者在所述接合工序之后，在所述蓋晶片的一方的主面形成金屬膜；以及

無電解鍍敷工序，對所述基底晶片的所述金屬膜以及所述蓋晶片的所述金屬膜實施無電解鍍敷，

形成于所述蓋晶片的無電解鍍敷膜是：與所述基底晶片的無電解鍍敷膜為相同的形狀、相同的面積。

7.一種壓電裝置的制造方法，所述壓電裝置為表面安裝型的壓電裝置，所述壓電裝置的制造方法的特征在于包括：

壓電晶片準備工序，準備具有多個壓電振動片的壓電晶片，所述壓電振動片包含：以規定的振動頻率而振動的振動部、包圍所述振動部的框部、及連結所述振動部與所述框部的連結部；

基底晶片準備工序，準備具有多個基底板的基底晶片；

基底用金屬膜形成工序，在所述基底晶片的一方的主面，形成通過濺鍍或者真空蒸鍍而形成的金屬膜；

蓋晶片準備工序，準備具有多個蓋板的蓋晶片；

載置工序，以在所述各基底板的另一方的主面分別載置所述壓電振動片的方式，將所述基底晶片與所述壓電晶片予以接合；

接合工序，將所述蓋晶片的另一方的主面以密封所述振動部的方式，接合于所述壓電晶片的另一方的主面；

蓋用金屬膜形成工序，在所述蓋晶片準備工序之后且所述載置工序之前、或者在所述接合工序之后，在所述蓋晶片的一方的主面形成金屬膜；以及

無電解鍍敷工序，對所述基底晶片的一方的主面形成的所述金屬膜以及所述蓋晶片的所述金屬膜實施無電解鍍敷，

形成于所述蓋晶片的無電解鍍敷膜是：與所述基底晶片的無電解鍍敷膜為相同的形狀、相同的面積。

8.根據權利要求6或7所述的壓電裝置的制造方法，其特征在于還包括：

在所述接合工序之后且所述無電解鍍敷工序之前，在所述基底晶片的另一方的主面再次形成所述金屬膜。