[發明專利]以填膠燒結方式制造選擇性成長遮罩的方法

無效

• 申請號: 201310143414.5
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103378229A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 李崇民;李恩加
• 申請（專利權）人: 奈米晶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種以填膠燒結方式制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于包括下列步驟：

提供藍寶石基板，該藍寶石基板是做為后續薄膜成長的基底；

形成氮化鎵基層，其是在該藍寶石基板上成長該氮化鎵基層；

涂布光刻膠層，其是在該氮化鎵基層上涂布一層光刻膠材料；

進行壓印及曝光顯影，是對該光刻膠層進行壓印及曝光顯影，使得多個孔洞圖案轉印至該光刻膠層表面，并形成突狀擋墻；

進行填膠，其是以絕緣性材料填入上述孔洞圖案之外的空隙；以及

進行燒結，其是以加熱去除上述孔洞圖案上的光刻膠劑，并使該空隙的絕緣性材料形成選擇性成長遮罩。

2.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該氮化鎵基層是以有機金屬化學氣相沉積法MOCVD成長。

3.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該光刻膠層的厚度是20-2,000nm。

4.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該進行壓印及曝光顯影步驟的壓印是進行納米等級或微米等級的壓印。

5.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該曝光顯影的曝光光源為248nm的KrF光源、193nm的ArF光源或13.5nm的EUV光源。

6.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該絕緣性材料為二氧化硅或氮化硅。

7.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其中該燒結步驟是以高溫氧氣加熱爐進行燒結。

8.如權利要求1所述的制造選擇性成長遮罩的方法，其特征在于其制造出的選擇性成長遮罩用于成長多個納米柱。