[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310142777.7
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103579253B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 金兌京;權賢律
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11568;H01L21/764;H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;石卓瓊

1.一種半導體存儲器件，包括：

第一輔助圖案和第二輔助圖案，所述第一輔助圖案和所述第二輔助圖案形成在半導體襯底之上；

多個柵極線圖案，所述多個柵極線圖案彼此平行地布置在半導體襯底之上位于所述第一輔助圖案和所述第二輔助圖案之間，其中所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案在從所述第一輔助圖案到所述第二輔助圖案的方向上延伸；以及

氣隙，所述氣隙形成在所述多個柵極線圖案之間以及形成在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案與所述第一輔助圖案和所述第二輔助圖案中的每個輔助圖案之間。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述氣隙具有比所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案大的長度。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述多個柵極線圖案之中的除了最外部的柵極線圖案之外的其余柵極線圖案全部被所述氣隙包圍。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第一輔助圖案和所述第二輔助圖案與所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的兩個端部間隔預定的距離。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第一輔助圖案和所述第二輔助圖案分別形成在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的兩個端部。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第一輔助圖案包括分別布置在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的一個端部的多個輔助圖案，

所述第二輔助圖案包括分別布置在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的另一個端部的多個輔助圖案。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中，所述第一輔助圖案的多個輔助圖案和所述第二輔助圖案的多個輔助圖案是三角形形狀或矩形形狀。

8.一種制造半導體存儲器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底之上形成多個柵極線圖案；

在半導體襯底之上形成多個輔助圖案，其中所述柵極線圖案布置在所述輔助圖案之間，其中所述柵極線圖案的長軸與所述輔助圖案的長軸正交；

在包括所述多個柵極線圖案和所述多個輔助圖案的整個結構之上形成絕緣層；以及

在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案與所述多個輔助圖案中的每個輔助圖案之間形成氣隙。

9.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述多個柵極線圖案和形成所述多個輔助圖案的步驟包括以下步驟：

在所述半導體襯底之上形成隧道絕緣層、導電層以及硬掩模層；以及

將所述硬掩模層、所述導電層以及所述隧道絕緣層圖案化，以在所述半導體襯底之上形成布置成彼此平行的多個柵極線圖案和所述多個輔助圖案，其中，所述多個輔助圖案與所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的兩個端部間隔預定的距離。

10.如權利要求8所述的方法，其中，所述氣隙具有比所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案大的長度。

11.如權利要求8所述的方法，其中，所述多個柵極線圖案之中的除了最外部的柵極線圖案之外的其余柵極線圖案全部被所述氣隙包圍。

12.如權利要求8所述的方法，其中，所述多個輔助圖案與所述柵極線圖案中的每個柵極線圖案的兩個端部間隔預定的距離。

13.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述多個輔助圖案的步驟包括：分別形成布置在所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案的兩個端部的第一輔助圖案和第二輔助圖案。