[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310142184.0
• 申請日: 2013-04-22
• 公開（公告）號: CN104112668B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 殷華湘;趙志國;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的多個鰭片；

在鰭片上形成沿第二方向延伸的假柵極堆疊結構；

在假柵極堆疊結構沿第一方向的兩側形成柵極側墻的第一部分，同時在鰭片沿第二方向的兩側形成柵極側墻的第二部分；

去除假柵極堆疊結構，形成柵極溝槽；

在柵極溝槽中形成柵極堆疊結構；

形成暴露源漏區的接觸孔，也同時暴露柵極側墻的第二部分；在接觸孔中形成接觸塞，接觸塞直接接觸柵極側墻的第二部分。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成柵極側墻的步驟進一步包括：

在器件上形成柵極側墻材料層；

控制刻蝕參數，減小側面的過刻蝕，使得柵極側墻材料層在假柵極堆疊結構沿第一方向的兩側留下柵極側墻的第一部分并且同時在鰭片沿第二方向的兩側留下柵極側墻的第二部分。

3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成柵極側墻的步驟之后進一步包括：

在柵極側墻沿第一方向的兩側外延生長提升源漏區。

4.如權利要求3的半導體器件制造方法，其中，形成提升源漏區之后進一步包括在提升源漏區與柵極側墻的第二部分上形成金屬硅化物。

5.如權利要求4的半導體器件制造方法，其中，形成金屬硅化物的步驟進一步包括：

在器件上形成層間介質層；

在層間介質層中形成源漏接觸孔，暴露提升源漏區以及柵極側墻的第二部分；

在源漏接觸孔中形成金屬層，退火使得金屬層與提升源漏區反應形成金屬硅化物。

6.如權利要求3的半導體器件制造方法，其中，形成提升源漏區之后進一步包括在器件上形成接觸刻蝕停止層。

7.一種半導體器件，包括：襯底上沿第一方向延伸的多個鰭片，沿第二方向延伸并且跨越了每個鰭片的柵極，位于鰭片上沿第一方向的柵極兩側的源漏區以及柵極側墻，與源漏區電接觸的接觸塞，其中，柵極側墻包括位于在柵極沿第一方向的兩側的第一部分以及在鰭片沿第二方向的兩側的第二部分，接觸塞與柵極側墻的第二部分直接接觸。

8.如權利要求7的半導體器件，其中，第二部分的高度和/或厚度小于第一部分的高度和/或厚度。

9.如權利要求7的半導體器件，其中，源漏區為外延生長的提升源漏區。

10.如權利要求7或9的半導體器件，其中，提升源漏區和/或柵極側墻的第二部分上具有金屬硅化物。