[發明專利]一種大尺寸C軸藍寶石晶體動態溫度場制備方法無效
| 申請號: | 201310141063.4 | 申請日: | 2013-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN104120488A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 萬尤寶;劉嘉;李世香 | 申請(專利權)人: | 浙江特銳新能源有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314031 浙江省嘉興市秀洲區中山西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 尺寸 藍寶石 晶體 動態 溫度場 制備 方法 | ||
1.一種大尺寸C軸藍寶石晶體動態溫度場制備方法,其特征是晶體生長爐的發熱體包括位于坩堝(1)外側上部輔助發熱體(2)及其支架(3)和外側輔助發熱體(4)以及底下部主發熱體主發熱體(5)組成;輔助發熱體(2)和(4)以及主發熱體(5)分別由相應的溫度控制系統獨立控制功率;通過對這三個發熱體的功率進行獨立調控,在晶體生長過程之中利用動態溫度場技術,在晶體生長時的爐膛中形成獨特的溫度場,晶體生長主要步驟包括:
I???在原料熔化時,利用如下步驟驅趕熔體中的氣泡:(A)由底下主發熱體(5)獨立加熱,將坩堝中原料熔化,整個坩堝(1)內溫度高于熔點2050OC,并恒溫10分鐘以初步驅趕熔體中的氣泡;(B)逐步降低底下主發熱體(5),開啟輔助發熱體(2),使上部熔體熔化,下部熔體凝固,并恒溫10分鐘,驅除上部熔體中的氣泡;(C)降低輔助發熱體(2)功率,升高主發熱體(4)功率,再次驅趕下部熔體中的氣泡;(D)重復步驟(B)和(C)直到氣泡驅趕完成;
II???逐步降低主發熱體(4)加熱功率,并升高輔助發熱體(2)功率,至熔體表面溫度為熔點,恒溫半小時;
III??將[0001]軸方向籽晶下將接觸熔體表面,開始下種,調節輔助發熱體(2),使籽晶不大也不小,恒溫10分鐘后,逐步降低調節輔助發熱體(2)功率,并以0.1-5mm/h提拉速度提拉籽晶,開始放肩生長;
IV??當生長的晶體將熔體表面覆蓋后,停止晶體的提拉,開啟輔助發熱體(4),并逐步降低輔助發熱體(2)加熱功率到完全停止,調節兩個輔助發熱體功率時要注意使晶體不長大也不縮小,當輔助發熱體(2)加熱功率到完全停止后,恒溫10分鐘;
V???以0.1-5mm/h速度提拉晶體,并逐步降低主發熱體(5)的加熱功率,實現晶體的等徑生長;
VI??當晶體生長完成后,逐步降低主發熱體(5)和輔助發熱體(4)的加熱功率,晶體原位退火至室溫,開爐獲得晶體。
2.如權利要求1所述的一種大尺寸C軸藍寶石晶體動態溫度場制備方法,其特征是所述溫度場調控特征分別為:
I??在原料化料階段,位于坩堝(1)底下部的主發熱體(5)發熱將原料熔化,實現坩堝(1)中軸向溫度由下到上由高到低梯度分布,整個坩堝(1)內溫度高于熔點2050OC,以利于熔體(6)中氣泡的排除;
II??晶體放肩生長階段,位于坩堝(1)底下部的主發熱體(4)功率降低,輔助發熱體(2)功率升高,在坩堝(1)上部熔體(6)處形成以坩堝(1)中熔體(6)表面幾何中心為對稱中心的大徑向溫度梯度,梯度分布特征是熔體(6)表面幾何中心溫度低,坩堝(1)壁溫度高;
III??在晶體等徑生長過程中,逐步降低輔助發熱體(2)功率到完全關閉,同時逐步降低位于坩堝(1)底下部的主發熱體(5)功率,并相應調節壁外輔助發熱體(4)發熱功率,以保證坩堝(1)中熔體(6)在固液界面處為生長溫度2050OC,并且使固液界面處徑向溫度梯度逐步向小梯度變化,使生長界面呈接近水平界面特征。
3.如權利要求1所述的一種大尺寸C軸藍寶石晶體動態溫度場制備方法,其特征是位于坩堝(1)外側上部的輔助發熱體(2)中鎢絲采用左右兩個部分并聯方式連接。
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