[發明專利]片材粘附系統和片材粘附方法有效
| 申請號: | 201310140903.5 | 申請日: | 2013-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN103377969A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 多賀洋一郎;西脅一雅;千田昌男 | 申請(專利權)人: | 日本電氣工程株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王鵬鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘附 系統 方法 | ||
引用結合
本申請基于并要求2012年4月26日遞交的日本專利申請No.2012-101766的優先權權益,通過引用將其全部內容結合于此。
技術領域
本發明涉及用于將諸如保護膠帶和切割膠帶之類的片材粘附在諸如半導體晶片之類的將被粘附的構件上的片材粘附系統和片材粘附方法。
背景技術
例如,當制造半導體芯片時,它包括諸如磨削半導體晶片(以下,也簡稱為″晶片″)和切割晶片之類的工藝。當如上所述磨削晶片時,用于保護晶片的正面(電路面)的保護膠帶,如背磨削(BG)膠帶,或用于保護晶片的背面的LC膠帶粘附在晶片上,使得晶片的該表面不被磨削液污染。進一步,當在磨削晶片之后切割晶片時,切割膠帶粘附到晶片的背面,使得通過將晶片切割成單獨的部分形成的芯片不會散落。注意到,在接下來的說明中,保護膠帶、LC膠帶、切割膠帶等等統稱為″片材″。
例如,日本專利No.4143488公開了在大致真空狀態下將片材粘附到晶片上的真空粘附設備。像這種真空粘附設備可以在將片材粘附在晶片上時防止殘留空氣。
然而,當通過粘附設備將片材粘附晶片上時,將片材和晶片設置在該粘附設備中的任務是手動進行的。因而,存在改進工作效率的空間。
發明內容
為了解決上述問題做出了本發明,并且本發明的示例性目標是提供能夠改善工作效率的片材粘附系統和片材粘附方法。
在本發明的示例性方面中,片材粘附系統包括:第一粘附單元,該第一粘附單元將片材粘附在包括貫通部的框架上,將被粘附的構件被放置在該貫通部中;第二粘附單元,該第二粘附單元將所述片材粘附在放置在所述框架的所述貫通部中的所述將被粘附的構件上;和第一輸送單元,該第一輸送單元輸送通過第一粘附單元粘附有所述片材的所述框架至第二粘附單元。
在另一個示例性方面中,一種片材粘附方法包括:將片材粘附在包括貫通部的框架上的第一步驟,將被粘附的構件放置在該貫通部中;通過采用第一輸送單元將所述片材粘附在其上的所述框架輸送至粘附單元的第二步驟;以及第三步驟,在第三步驟中,粘附單元將所述片材粘附在被放置在所述框架的所述貫通部中的所述將被粘附的構件上。
根據本發明,能夠提供能夠改善工作效率的片材粘附系統和片材粘附方法。
附圖說明
根據下文給出的詳細描述和僅通過圖示方式給出的附圖,本發明的上述和其它目標、特征和優點將被更完整地理解,且因此不被視為限制本發明。
圖1為示出根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統的示意圖;
圖2為示出根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第一粘附單元的示意圖;
圖3為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第一粘附單元的操作的流程圖;
圖4為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第一輸送單元的操作的流程圖;
圖5為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第二粘附單元的操作的示意圖;
圖6為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第二粘附單元的操作的流程圖;
圖7為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第二粘附單元的操作的示意圖;
圖8為用于說明根據本發明的第一示例性實施例的片材粘附系統中的第二粘附單元的操作的示意圖;
圖9為示出根據本發明的第二示例性實施例的片材粘附系統的示意圖;
圖10為示出根據本發明的第二示例性實施例的片材粘附系統中的第一容納單元的示意圖;
圖11為示出當將晶片單元容納在第一容納單元中時進行的流程的流程圖;
圖12為時序圖,大致示出在第n個晶片容納在第一容納單元中之前進行的過程和在第(n+1)個晶片容納在第一容納單元中之前進行的過程;
圖13為示出用于將晶片單元容納在第一容納單元中的另一種結構的示意圖;
圖14為示出滑動構件的橫截面的示意圖;
圖15為示出翻轉單元的示意圖;
圖16為示出根據本發明的第四示例性實施例的片材粘附系統的示意圖;
圖17為示出根據本發明的第四示例性實施例的片材粘附系統中的第二容納單元的示意圖;
圖18為示出當將晶片從第二容納單元輸送至第二粘附單元時進行的流程的流程圖;
圖19為時序圖,大致示出在片材完全粘附在第n個晶片上之前進行的過程和在片材完全粘附在第(n+1)個晶片上之前進行的過程;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





