[發(fā)明專利]主動式固態(tài)發(fā)光顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310137521.7
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104112756A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾堅信
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其包括一個基板、復(fù)數(shù)個固態(tài)發(fā)光源以及復(fù)數(shù)個薄膜晶體管，其特征在于：所述基板表面具有一個緩沖層，所述緩沖層上設(shè)置所述固態(tài)發(fā)光源以及所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管位于所述固態(tài)發(fā)光源的一個側(cè)邊，所述固態(tài)發(fā)光源是為一個發(fā)光二極管，所述薄膜晶體管通過源極電極或汲極電極與所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管電性連結(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述緩沖層是為絕緣緩沖層，所述緩沖層選自低溫氮化鋁銦鎵、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鉭或是鈦酸鍶鋇至少其中之一或是其中的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述基板材料是為藍寶石、硅、絕緣體上硅、玻璃、氮化鎵、氧化鋅或塑料其中之一。

4.如權(quán)利要求1所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管選自氧化物半導(dǎo)體、氮化物半導(dǎo)體、磷化物半導(dǎo)體、砷化物半導(dǎo)體或是化合物半導(dǎo)體，所述化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族或是Ⅳ-Ⅳ族半導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求1所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管是一個P-N型的發(fā)光二極管，其包括一個P型電極、一個P型半導(dǎo)體層、一個發(fā)光層、一個N型半導(dǎo)體層以及一個N型電極，所述N型半導(dǎo)體層設(shè)置于所述緩沖層上，所述N型半導(dǎo)體層上方設(shè)置所述發(fā)光層，所述發(fā)光層上設(shè)置所述P型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層以及所述N型半導(dǎo)體層上再分別設(shè)置所述P型電極以及所述N型電極。

6.如權(quán)利要求5所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體層是金屬氧化物半導(dǎo)體，所述金屬氧化物半導(dǎo)體為氧化鋅或氧化鋅鎵銦，所述金屬氧化物半導(dǎo)體為所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管的透明電極。

7.如權(quán)利要求5所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體層是化合物半導(dǎo)體，所述化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體中的硒化鋅、砷化鎵、磷化鋁鎵銦或氮化鎵銦鋁。

8.如權(quán)利要求5所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述P型半導(dǎo)體層與所述P型電極之間進一步包括一個接觸層以及一個電流擴散層。

9.如權(quán)利要求5所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述發(fā)光層材料，是選自碲化硒鎂鋅鎘、磷化銦鎵鋁、砷化鎵銦鋁、氮化鎵銦鋁、氧化鋅、氧化鋅鎵銦或硅鍺其中之一。

10.如權(quán)利要求1所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述薄膜晶體管具有的閘極電極設(shè)置于所述基板緩沖層上，所述閘極電極上具有一個絕緣層設(shè)置，所述絕緣層上設(shè)置一個活性層，所述活性層上設(shè)置所述薄膜晶體管具有的源極電極及汲極電極。

11.如權(quán)利要求10所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述源極電極或是所述汲極電極過通所述N型半導(dǎo)體層、所述P型半導(dǎo)體層、所述N型透明電極、所述N型電極或所述P型電極與所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管電性連接。

12.如權(quán)利要求10所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述薄膜晶體管的所述活性層選自金屬氧化物半導(dǎo)體、低溫多晶硅、非晶硅，所述金屬氧化物半導(dǎo)體選自非晶性金屬氧化物半導(dǎo)體、多晶性金屬氧化物半導(dǎo)體、結(jié)晶性金屬氧化物半導(dǎo)體、微晶性金屬氧化物半導(dǎo)體或納米金屬氧化物半導(dǎo)體。

13.如權(quán)利要求12所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述活性層包含有銦、鎵、鋁、鋅、鎘、鈣、鎂、錫或鉛的其中之一。

14.如權(quán)利要求13所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述活性層是為氧化銦鎵鋅，所述活性層作為所述固態(tài)發(fā)光源發(fā)光二極管的透明電極。

15.如權(quán)利要求10所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述絕緣層選自氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鉭或是鈦酸鍶鋇。

16.如權(quán)利要求10所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述源極電極或是所述汲極電極至少有一個電極包含有氧化物透明電極、或一個金屬電極、或一個非金屬透明電極。

17.如權(quán)利要求16所述的主動式固態(tài)發(fā)光顯示器，其特征在于：所述氧化物透明電極如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅、氧化鋅鋁或氧化錫銻。