[發明專利]特快速暫態過電壓測量系統的標定方法與標定裝置有效
| 申請號: | 201310134337.7 | 申請日: | 2013-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN103217659A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 岳功昌;王寧華;關永剛;王磊;劉衛東;金光耀;郭煜靜;吳可 | 申請(專利權)人: | 清華大學;國家電網公司;中國電力科學研究院;河南平高電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R35/00 | 分類號: | G01R35/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳貴明;張永明 |
| 地址: | 10008*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快速 過電壓 測量 系統 標定 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及高電壓領域,具體而言,涉及一種特快速暫態過電壓測量系統標定方法與標定裝置。
背景技術
在應用氣體絕緣金屬封閉開關設備(Gas?Insulated?Swichgear,以下簡稱為GIS)的各種電壓等級的電力系統中,均可能因為隔離開關切合空載短母線而產生特快速暫態過電壓(Very?Fast?Transient?Overvoltage,以下簡稱為VFTO)。VFTO可能破壞設備絕緣,引起系統故障,是電力設備和電力系統的嚴重威脅。準確地測量VFTO,是開展相關研究的基礎和前提。
GIS隔離開關操作時產生的VFTO幅值可達2~3倍工頻峰值。為了滿足測量的需要,測量系統要將高電壓轉換為低電壓,所以測量系統的分壓比一般都非常大。因此,要確定測量結果在多大程度上反映實際的VFTO水平,對測量系統的標定就顯得至關重要。一般情況下,對測量系統的標定包括2個部分:(1)頻率特性標定,用以確定測量系統的頻響特性和測量帶寬;(2)分壓比標定,用以確定測量時傳感器輸出電壓與被測VFTO電壓的幅值關系。目前,國內外雖對測量VFTO的方法已經進行了長期的研究,提出了電容傳感器法和微積分法等多種方法,并開展了一些實際測量,但在測量系統的標定問題上仍然未能達成共識,也沒有形成完善的標定方法。此外,國際上尚未制定VFTO波形的標準,因此,也沒有標準的VFTO源來對VFTO測量系統進行標定。
以下文獻介紹了現有的標定VFTO測量系統的一些方法:
[1]岳功昌,劉衛東,陳維江,關永剛,李志兵。特高壓氣體絕緣組合開關設備中特快速瞬態過電壓測量系統的標定,高電壓技術,2012,38(2):342-349。
[2]丁衛東,李峰,張喬根,陳國強,劉洪濤,岳功昌,張博。特高壓氣體絕緣開關設備中特快速瞬態過電壓測量用電容傳感器的標定。中國電機工程學報,2011,31(31):56-65。
[3]Boggs?SA,Fujimoto?N.?Techniques?and?instrumentation?for?measurement?of?transients?in?gas-insulated?switchgear.IEEE?Trans.on?Electrical?Insulation,1984,19(2):87-92.
[4]Measuring?probe?for?fast?transients?monitoring?in?gas?insulated?substation.IEEE?Trans.on?Instrumentation?and?Measurement,1997,47(1)36-44.
[51Kumar?VV,Thomas?J.Capacitive?sensor?for?the?measurement?of?VFTO?in?GIS.Eleventh?International?Symposium?on?High?Voltage?Engineering.London,UK:IEEE,1999:156-159.
[6]史保壯,張文元,邱毓昌。測量氣體絕緣變電站中快速暫態過電壓的微分積分方法[J].中國電機工程學報,1999,19(5):59-61,29。
[7]歐陽佳,劉金亮,田亮等.納秒級不同脈寬的信號對電容分壓器的影響.高電壓技術,2004,30(12):42-44。
[8]衛兵,傅貞,王玉娟,等.脈沖功率裝置中電容分壓器的設計和應用.高電壓技術,2007,33(12):39-43.
[9]Seeger?M,Behrmann?G,Coric?B,et?al.Application?of?electrical?field?sensors?in?GIS?for?measuring?high?voltage?signals?over?the?frequency?range?10Hz?to?100MHz.Eleventh?International?Symposium?on?High?Voltage?Engineering.?London,UK:IEEE,1999:292-296.
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