[發明專利]半導體Bi2O3-Ta2O5復合納米纖維及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 201310127163.1
• 申請日: 2013-04-12
• 公開（公告）號: CN103316659A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 施偉東;孫曉莉;官建國
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: B01J23/20
• 分類號: B01J23/20;B01J35/06;A62D3/17;A62D101/28
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明

1.半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維，其為在一維Ta₂O₅納米線模板上長有Bi₂O₃納米顆粒的異質結構，具有均一的結構尺寸和良好分散性，直徑為80-120nm，用下述方法制得，包括有以下步驟：

1）將氫氧化鈉配成濃度0.01-0.025mol/L溶液，然后向溶液中加入鉍源，均勻混合；

2）將上述混合溶液加入到Ta₂O₅納米線前驅體中，均勻混合得到混合液；

3）將混合液轉入至60ml反應釜中，180-220℃反應5-18小時，得到淡黃色溶液；

4）待得到的溶液自然冷卻后洗滌，并置于60℃烘箱中使其完全烘干，得到的白里透黃的粉末即為半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維。

2.根據權利要求1所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維，其特征在于步驟1）所述的鉍源五水硝酸鉍或氯化鉍。

3.根據權利要求1或2所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維，其特征在于步驟3）所述的反應時間為5-12小時。

4.根據權利要求1或2所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維，其特征在于步驟1）和步驟2）中的鉍源與Ta₂O₅納米線前驅體摩爾比為0.5:1-3.5:1。

5.權利要求1所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維的制備方法，包括有以下步驟：

1）將氫氧化鈉配成濃度0.01-0.025mol/L溶液，然后向溶液中加入鉍源，均勻混合；

2）將上述混合溶液加入到Ta₂O₅納米線前驅體中，均勻混合得到混合液；

3）將混合液轉入至60ml反應釜中，180-220℃反應5-18小時，得到淡黃色溶液；

4）待得到的溶液自然冷卻后洗滌，并置于60℃烘箱中使其完全烘干，得到的白里透黃的粉末即為半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維。

6.根據權利要求5所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維的制備方法，其特征在于步驟1）所述的鉍源五水硝酸鉍或氯化鉍。

7.根據權利要求5或6所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維的制備方法，其特征在于步驟3）所述的反應時間為5-12小時。

8.根據權利要求5或6所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維的制備方法，其特征在于步驟1）和步驟2）中的鉍源與Ta₂O₅納米線前驅體摩爾比為0.5:1-3.5:1。

9.權利要求1所述的半導體Bi₂O₃-Ta₂O₅復合納米纖維作為光降解污染物的活性材料的應用。