[發明專利]一種提高量子效率的LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201310123583.2
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN104103727A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 朱忠才;陳四海
• 申請（專利權）人: 江蘇穩潤光電有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種照明用的LED芯片的制造方法，在C面藍寶石襯底上依次逐層沉積GaN緩沖層(320、330)、N型電極(340)、反射層(350)、N型GaN(360)、電子隧穿層(370)、有源層(380)、P型GaN(390)、P型電極(400)，折射率為n的微型小丘(410)。其特征依次包括如下要求：

(1)、本發明采用的襯底是C面藍寶石襯底

(2)、在C面藍寶石襯底(310)上沉積兩層GaN緩沖層(320、330)，采用多緩沖層技術可以使襯底與GaN間地晶格失配度減小，得到品質更好的外延片。

(3)、在第二緩沖層上生長N型電極(340)

(4)、在N型電極上生長反射層(350)，用Ag做為反射層材料。

(5)、生長N型GaN(360)的要求，生長N型高摻雜高電導率GaN，可使電流不擁擠而能均勻將電流橫向分布。

(6)、在生長有源層前生長一層電子隧穿勢壘層ETB(370)，電子隧穿勢壘層ETB為n-AlGaN，當注入的電子穿過ETB勢壘層時，可以降低注入電子的能量，從而減少注入電子的泄露。

(7)、有源層(380)采用AlInGaN/GaN多量子阱(MQW)材料，在適當的工藝下生長6個周期的AlInGaN/GaN多量子阱(MQW)。

(8)、p-GaN(390)的生長，提高空穴的遷移率，使得空穴能夠有效地注入到更多的量子阱中參與發光。

(9)、P型電極(400)的生長，采用透明電極。

(10)、在常規LED外延片上制作一個無光刻的隨機SiO₂掩膜，通過控制MOCVD生長條件，二次外延可以形成可控制尺度和密度的折射率為n寬帶隙的微型小丘(410)。