[發明專利]四分之一節距圖案的形成方法

有效

• 申請號: 201310120628.0
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN103811334A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 劉弘仁
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/027;G03F7/30;G03F7/42;G03F7/09
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，包括：

依序形成下光阻層及上光阻層；

將該上光阻層定義為多個第一圖案；

在該下光阻層及該些第一圖案上形成包含反應性物質或可產生反應性物質的附著層，該反應性物質可使該下光阻層及該上光阻層的材料可溶解在顯影液中；

使該反應性物質擴散進入各該第一圖案的一部分及該些第一圖案之間的該下光阻層的多個部分中，而與各該第一圖案的該部分及該些第一圖案之間的該下光阻層的該些部分發生反應；

移除該附著層；

進行顯影步驟以移除該些第一圖案的該些部分及該下光阻層的該些部分，以將該下光阻層圖案化為多個第二圖案；

在剩余的該些第一圖案的側壁上及該些第二圖案的側壁上形成多個間隙壁；以及

移除剩余的該些第一圖案，并使用該些第二圖案上的該些間隙壁作為罩幕來移除該些第二圖案的多個部分。

2.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，該上光阻層具有光感應基團而具有光感應性，該下光阻層不具有光感應基團而不具有光感應性。

3.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，利用烘烤步驟使該反應性物質擴散。

4.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，該附著層包含酸作為該反應性物質。

5.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，該附著層包含熱酸產生劑，該熱酸產生劑產生酸作為該反應性物質，且利用烘烤步驟產生該酸并使該酸擴散。

6.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，形成該些間隙壁的方法包括：

在剩余的該些第一圖案及該些第二圖案上形成保形的間隙壁材料層；以及

對該間隙壁材料層進行非等向性蝕刻。

7.根據權利要求1所述的四分之一節距圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁的材料包括SiO₂。

8.一種罩幕層，其特征在于，該罩幕層配置在基板上，該基板包括多個四分之一節距圖案，該些四分之一節距圖案的節距相等于微影解析度極限節距的四分之一。

9.根據權利要求8所述的罩幕層，其特征在于，

該些四分之一節距圖案包括多個第一圖案及多個第二圖案，該些第一圖案布置為多個第一圖案對，且該些第二圖案布置為多個第二圖案對，

該些第一圖案各自包括第一材料，

該些第二圖案各自包括不在該第一圖案中的該第一材料以及第二材料，其中該第一材料配置在該第二材料上，并且

該些第一圖案對與該些第二圖案對交替布置。

10.根據權利要求9所述的罩幕層，其特征在于，該第二材料包括光阻材料。

11.根據權利要求9所述的罩幕層，其特征在于，該第一材料包括SiO₂。