[發(fā)明專利]基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310119194.2 | 申請日: | 2013-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN103173880A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周煥民 | 申請(專利權)人: | 周煥民 |
| 主分類號: | D01F1/09 | 分類號: | D01F1/09;C08J3/22;C08K7/00;C08K3/04;C08L67/02;C08L77/02;C08L23/12 |
| 代理公司: | 靖江市靖泰專利事務所 32219 | 代理人: | 陸平 |
| 地址: | 214500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 納米 陣列 紡絲 導電 制備 方法 | ||
1.基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒,其特征在于:各主輔原料的組份配比如下:
????????碳納米管陣列????????????????0.5-2份;
????????低熔點高分子聚合物???????????40-60份;
????????紡絲級高分子聚合物粉碎物????80-120份;
????????偶聯(lián)劑???????????????????????0.5-1份;
????????抗氧劑???????????????????????0.2-0.4份;
????????聚乙烯蠟??????????????????????5-10份。
2.根據權利要求1?所述的基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒,其特征在于:所述的低熔點高分子聚合物為:
1)當制備基于碳納米管陣列紡絲用滌綸導電母粒時,采用熔點為100℃-150℃的低熔點滌綸切片;
2)當制備基于碳納米管陣列紡絲用錦綸導電母粒時,采用熔點為100℃-150℃的低熔點尼龍切片;
3)當制備基于碳納米管陣列紡絲用丙綸導電母粒時,采用融熔指數50-100的聚丙烯。
3.根據權利要求1和2所述的基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒,其特征在于:所述的紡絲級高分子聚合物粉碎物為:
1)當制備基于碳納米管陣列紡絲用滌綸導電母粒時,紡絲級高分子聚合物為聚對苯二甲酸丁二醇酯粉碎物;
2)制備基于碳納米管陣列紡絲用錦綸導電母粒時,紡絲級高分子聚合物為聚酰胺6粉碎物;
3)制備基于碳納米管陣列紡絲用丙綸導電母粒時,紡絲級高分子聚合物為紡絲級聚丙烯粉碎物。
4.根據權利要求1?所述的基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒,其特征在于:所述的偶聯(lián)劑為鈦酸酯。
5.根據權利要求1?所述的基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒,其特征在于:所述的抗氧劑為1010和DLTP以1:1配制。
6.?根據權利要求1?所述的基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒及制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)將0.5-2份碳納米管陣列在圓形絲筒上,紡出取向有序的纖維層;
2)將40-60份低熔點高分子聚合物加熱至融熔狀態(tài)后,取上述碳納米管纖維取向有序地浸漬于融熔的低熔點高分子聚合物中并冷卻,得到固體物料;
3)上述固體物料經粗粉碎至20目,再以液氮作為致冷介質,在溫度低于零下40℃的環(huán)境中進行氣流粉碎至微末級的粉狀顆粒;
4)將上述微末級粉狀顆粒、紡絲級高分子聚合物的粉碎物80-120份和0.5-1份鈦酸酯偶聯(lián)劑、0.2-0.4份抗氧劑和5-10份聚乙烯酯蠟加熱至70℃—90℃,用高速混合機混合后,通過螺桿擠出機擠出,水冷,切粒得到基于碳納米管陣列紡絲用導電母粒。
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