[發明專利]一種硅基埋柵薄膜太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201310112345.1
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN103178163A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 花國然;王強;朱海峰
• 申請（專利權）人: 南通大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京同澤專利事務所(特殊普通合伙) 32245
• 代理人: 石敏

1.一種硅基埋柵薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

1）制備底電極，所述底電極是通過磁控濺射鋁在襯底上形成導電的鋁或銀薄膜；

2）第一次淀積P型硅薄膜，在所述底電極上進行硅薄膜淀積，在淀積的同時進行P型雜質的重摻雜，在底電極上形成P+硅薄膜層；

3）第二次淀積P型硅薄膜，在所述P+硅薄膜上繼續淀積，在淀積的同時進行P型雜質的摻雜，在P+硅薄膜層上形成P-硅薄膜層；

4）第一次淀積N型硅薄膜，在所述P-硅薄膜上繼續淀積，在淀積的同時進行N型雜質的摻雜，在P-硅薄膜層上形成N-型硅薄膜層；

5）形成歐姆接觸區，將鏤空有電極窗口的絲網覆蓋于所述N-型硅薄膜上，在電極窗口處的N-?型硅薄膜上進行N型雜質的重摻雜，在電極窗口處的N-?型硅薄膜層上形成N+型硅薄膜；

6）制備頂電極，在上述N+型硅薄膜上進行頂電極淀積，形成頂電極，去除絲網；

7）第二次淀積N型硅薄膜，在去除絲網后的N-型硅薄膜層上及頂電極上繼續硅薄膜淀積，同時進行N型雜質的摻雜，形成包圍頂電極的N-?型硅薄膜層；

8）激光刻蝕P?型硅薄膜通槽，在上述N型硅薄膜層兩側用激光刻蝕出連通所述P-硅薄膜層的通槽；所述通槽寬度與N型硅薄膜層的寬度比為1：22～1：18；

9）第三次淀積P?型硅薄膜，對上述通槽繼續進行硅薄膜淀積，在淀積硅薄膜的同時進行P型雜質的摻雜，形成包圍N型硅薄膜的P-硅薄膜層；

所述第一、二、三次淀積P型硅薄膜和所述第一、二次淀積N型硅薄膜都采用等離子化學增強氣相沉積儀進行的淀積。

2.?根據權利要求1所述的一種硅基埋柵薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于所述P型雜質的重摻雜所形成的P-硅薄膜層，其硅薄膜中摻雜硼元素B?的濃度達10¹³～10¹⁵，所述P型雜質的摻雜所形成的P+硅薄膜層，硅薄膜中摻雜硼元素B?的濃度達10¹⁷～10¹⁹，所述N?型雜質的重摻雜所形成的N-?硅薄膜層，硅薄膜中摻雜磷元素P?的濃度達10¹³～10¹⁵，所述N?型雜質的摻雜所形成的N?硅薄膜層，是指硅薄膜中摻雜磷元素P?的濃度達10¹⁷～10¹⁹。