[發明專利]氮化物類半導體發光二極管、氮化物類半導體激光元件及其制造方法和氮化物類半導體層的形成方法

無效

• 申請號: 201310111332.2
• 申請日: 2008-12-12
• 公開（公告）號: CN103199433A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 廣山良治;三宅泰人;久納康光;別所靖之;畑雅幸
• 申請（專利權）人: 未來之光有限責任公司
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028;H01S5/022;H01S5/18;H01S5/323;H01L33/20;B82Y20/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種氮化物類半導體激光元件，其特征在于，包括：

氮化物類半導體元件層，其形成于基板的主表面上，且具有發光層；

第一共振器端面，其形成于所述氮化物類半導體元件層的包含所述發光層的端部；和

反射面，其形成于與所述第一共振器端面相對的區域，至少由相對于所述主表面傾斜規定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面構成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一個是不為0的整數。

2.如權利要求1所述的氮化物類半導體激光元件，其特征在于：

所述基板具有形成于所述主表面的凹部，

所述反射面由以所述凹部的內側面為起點形成的所述氮化物類半導體元件層的結晶生長刻面構成。

3.如權利要求1所述的氮化物類半導體激光元件，其特征在于：

還包括第二共振器端面，所述第二共振器端面形成于所述第一共振器端面的相反側的端部，沿相對于所述主表面大致垂直的方向延伸。

4.如權利要求1所述的氮化物類半導體激光元件，其特征在于：

所述基板由氮化物類半導體構成。

5.如權利要求1所述的氮化物類半導體激光元件，其特征在于：

該氮化物類半導體激光元件構成為，從所述第一共振器端面射出的激光通過所述反射面，使射出方向變化為與所述激光的從所述發光層射出方向交叉的方向，并入射到所述激光監測用的光傳感器。

6.如權利要求1所述的氮化物類半導體激光元件，其特征在于：

該氮化物類半導體激光元件是構成為從所述第一共振器端面射出的激光通過所述反射面使射出方向變化為與所述激光的從所述發光層射出方向交叉的方向的表面射出型激光器。

7.一種氮化物類半導體激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成于基板的主表面上并且具有發光層的氮化物類半導體層的端部形成第一共振器端面的工序；

在與所述第一共振器端面相對的區域形成由相對于所述主表面傾斜規定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面構成的反射面的工序，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一個是不為0的整數；和

在所述第一共振器端面的相反側的端部形成沿相對于所述主表面大致垂直的方向延伸的第二共振器端面的工序。

8.如權利要求7所述的氮化物類半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一共振器端面的工序和形成所述第二共振器端面的工序包括：通過所述氮化物類半導體層的結晶生長而至少形成所述第一共振器端面或所述第二共振器端面中任一端面的工序、和通過蝕刻至少形成所述第一共振器端面或所述第二共振器端面中任一另一端面的工序。

9.一種氮化物類半導體發光二極管，其特征在于，包括：

氮化物類半導體層，該氮化物類半導體層包括第一側面和位于與所述第一側面相對區域的第二側面，

所述氮化物類半導體層的主表面的法線方向位于分別由如下各線包圍的范圍內：將［11－20］方向和大致［10－10］方向連結的、［C+D、C、－2C－D、0］方向的線、及將［11－20］方向和大致［11－2－5］方向連結的、［1、1、－2、－E］方向的線、及將［10－10］方向和大致［10－1－4］方向連結的、［1、－1、0、－F］方向的線、及將大致［11－2－5］方向和大致［10－1－4］方向連結的、［G+H、G、－2G－H、－5G－4H］方向的線，

至少所述第一側面或所述第二側面的至少一方形成為相對于所述氮化物類半導體層的主表面傾斜，其中，

C≧0且D≧0，且C和D至少任一個是不為0的整數，

0≦E≦5，

0≦F≦4，

G≧0且H≧0，且G和H至少任一個是不為0的整數。

10.如權利要求9所述的氮化物類半導體發光二極管，其特征在于：

所述第一側面和所述第二側面形成為相對于所述氮化物類半導體層的主表面傾斜。

11.如權利要求9所述的氮化物類半導體發光二極管，其特征在于：

所述第一側面由（000－1）面構成。

12.如權利要求9所述的氮化物類半導體發光二極管，其特征在于：

所述氮化物類半導體層和所述支承基板經由接合層接合。