[發(fā)明專利]電場反應(yīng)熱壓法制備多孔納米鎂硅基塊體熱電材料的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310106901.4 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103172346A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳少平;樊文浩;孟慶森;李育德;張機源;李洋 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | C04B30/00 | 分類號: | C04B30/00;C01B33/06 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 盧茂春 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電場 反應(yīng) 熱壓 法制 多孔 納米 鎂硅基 塊體 熱電 材料 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明電場反應(yīng)熱壓法制備多孔納米鎂硅基塊體熱電材料的方法,屬于熱電材料及制備方法的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種采用電場反應(yīng)熱壓法一步制備多孔納米Mg2Si基塊體熱電材料的方法,利用該方法可以一步實現(xiàn)Mg2Si的反應(yīng)合成和致密化燒結(jié),產(chǎn)物為顆粒度小于70nm的結(jié)構(gòu)且含有一定納米孔的Mg2Si基熱電材料。利用該方法制備的Mg2Si基塊體熱電材料具有多孔和納米的特征,有助于獲得較高的熱電轉(zhuǎn)換性能。
背景技術(shù)
目前Mg2Si傳統(tǒng)的制備方法為利用單質(zhì)的Mg粉和Si粉直接反應(yīng)而成,或者利用其它方法制得Mg2Si粉體后,再在真空壓力爐或等離子燒結(jié)爐中進行致密化得到塊體Mg2Si熱電材料。存在的主要問題是:由于二者熔點相差較大,導致制備工藝復雜,耗時長,燒結(jié)后期晶粒長大嚴重。利用MgH2粉取代純Mg粉后,可以有效降減少產(chǎn)物中MgO的含量,降低反應(yīng)溫度至350℃,經(jīng)過15-20小時的置換反應(yīng)后可以獲得納米級Mg2Si粉體,但在后期的致密化燒結(jié)過程中不可避免地再次引入雜質(zhì),且燒結(jié)溫度為650-700℃,導致晶粒長大嚴重,嚴重降低了Mg2Si熱電材料的熱電傳輸性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明電場反應(yīng)熱壓法制備多孔納米鎂硅基塊體熱電材料的方法,目的在于:為了克服上述工藝制備Mg2Si熱電材料的不足,本發(fā)明設(shè)計了一種電場反應(yīng)熱壓法一步制備多孔納米Mg2Si塊體熱電材料的方法,該方法有利于克服傳統(tǒng)工藝中由于反應(yīng)時間長,燒結(jié)溫度高導致產(chǎn)物晶粒粗大和MgO雜質(zhì)含量高等不足,一步制得納米Mg2Si基塊體材料,另外,通過向晶界引入少量納米孔有利于通過晶界定扎作用抑制晶粒長大,并且通過量子阱效應(yīng)加強聲子散射,進一步降低熱導率和提高熱電性能。
本發(fā)明電場反應(yīng)熱壓法制備多孔納米鎂硅基塊體熱電材料的方法,其特征在于是一種采用電場反應(yīng)熱壓法一步制備多孔納米Mg2Si基塊體熱電材料的方法,該方法是在電場激活壓力輔助合成爐中進行,外加工頻交流電場和單向壓力通過促進MgH2粉、納米Si粉、少量Y粉和Bi粉的界面緊密接觸和物質(zhì)輸運,同步完成化學反應(yīng)和產(chǎn)物粉體的燒結(jié)致密化,制備該材料的原材料MgH2粉末的顆粒度≤45μm,純度≥99.5%,納米Si粉的顆粒度≤50nm,?純度≥99.90%,稀土金屬Y粉的顆粒度≤45μm,純度≥99.5%,重金屬Bi粉的顆粒度≤45μm,純度≥99.5%,摩爾混合比例為(2-x):(1-y):x:y(x≤0.01,y≤0.01),反應(yīng)方程為:(2-x)MgH2?+?xY?+?(1-y)Si?+?yBi?=?Mg2-xYxSi1-yBiy?+?(2-x)H2?(1)(x≤0.01,?y≤0.01),在外加惰性保護氣體的作用下,生成的副產(chǎn)物H2緩慢逸出,通過降低氧化勢,防止氧化鎂的進一步形成,同時在后期燒結(jié)過程中殘余氫氣逐漸聚集于晶界,對晶界起到釘扎作用,主要表現(xiàn)為當擴散原子由晶界流向氣孔時產(chǎn)生的晶界位移改變了氣孔表面曲率半徑,而該曲率半徑引起的化學位梯度正是晶粒生長的驅(qū)動力,當原子由孔洞流向晶界時,亞宏觀上便體現(xiàn)為晶粒生長受阻,具體方法及工藝步驟為:
1)首先將顆粒度≤45μm及純度≥99.5%的反應(yīng)物MgH2粉末、顆粒度≤50nm及純度≥99.90%的納米Si粉、顆粒度≤45μm及純度≥99.5%的稀土金屬Y粉、顆粒度≤45μm和純度≥99.5%的重金屬Bi粉,以(2-x):(1-y):x:y的摩爾比例混合(x≤0.01,y≤0.01),球磨1-3小時保證混合均勻,形成混合粉末9;
2)然后將混合粉體9置于石墨模具4中的上壓頭6和下壓頭7之間,將裝配好的石墨模具置于反應(yīng)腔體3中,與上電極2和下電極5接觸,抽真空至10Pa以下,然后由氣瓶12向腔體中通入惰性保護氣體11,直至腔體內(nèi)壓強達到105Pa并保持;
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