[發明專利]具有導熱化合物的IPM 電機及形成其轉子的方法

無效

• 申請號: 201310098300.3
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103368295A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: C·哈默;A·克雷維斯頓;B·D·錢伯林
• 申請（專利權）人: 瑞美技術有限責任公司
• 主分類號: H02K1/27
• 分類號: H02K1/27;H02K15/03
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張濤

1.一種同步電機，包括：

轉子，所述轉子具有基本圓筒形芯部，所述芯部具有軸向延伸凹槽；

多個永磁體，所述多個永磁體設置在所述凹槽中的相應凹槽中；以及

導熱材料，所述導熱材料與所述永磁體和所述芯部連續以用于將熱量從所述永磁體傳遞到所述芯部，所述材料具有大于0.3W/(m*K)的熱導率。

2.如權利要求1所述的電機，其中，所述導熱材料具有大于0.5W/(m*K)的熱導率，優選具有大于1.2W/(m*K)的熱導率，尤其具有大于3.0W/(m*K)的熱導率。

3.如前述權利要求任一項所述的電機，其中，所述導熱材料完全包封所述永磁體。

4.如前述權利要求任一項所述的電機，其中，所述永磁體配置為限定沿周向方向的交替磁極的組。

5.一種形成內部永磁體（IPM）電機的轉子的方法，包括：

將多個永磁體設置在轉子芯的對應多個軸向延伸磁體凹槽中；

利用具有大于0.3W/(m*K)的熱導率的材料包封所述多個永磁體。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述材料具有大于0.5W/(m*K)的熱導率，優選具有大于1.2W/(m*K)的熱導率，尤其具有大于3.0W/(m*K)的熱導率。

7.如權利要求5或6所述的方法，其中，所述永磁體在被插入到所述磁體凹槽內之前被包封在導熱樹脂中。

8.如權利要求5至7中任一項所述的方法，其中，所述包封包括將導熱粉末注入到所述多個磁體凹槽內。

9.如權利要求8所述的方法，還包括將所述導電粉末動態壓實到所述磁體凹槽內。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述動態壓實包括振動所述轉子。

11.如權利要求8至10中任一項所述的方法，其中，所述粉末包括導熱聚合物。

12.如權利要求8至11中任一項所述的方法，其中，所述粉末包括氧化鋁和/或氮化硼。

13.如權利要求8至12中任一項所述的方法，還包括熔化所述粉末并且隨后向所述導熱材料中添加結合劑。

14.如權利要求5至13中任一項所述的方法，還包括在所述包封之前或之后磁化所述永磁體。

15.如權利要求5至14中任一項的方法，其中，在設置所述永磁體之前和之后均執行所述包封。