[發明專利]一種可防水汽的電容式微型麥克風及其制備方法在審
| 申請號: | 201310097521.9 | 申請日: | 2013-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN104080032A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 萬蔡辛;楊少軍 | 申請(專利權)人: | 北京卓銳微技術有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/04 | 分類號: | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;李涵 |
| 地址: | 100191 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 水汽 電容 式微 麥克風 及其 制備 方法 | ||
1.一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,其包括:摻雜基板(1)、至少一防水絕緣層(3)、犧牲層(4)、振膜(5)及聲腔(6),其中,在所述摻雜基板(1)上方淀積有所述至少一防水絕緣層(3)及所述犧牲層(4),在所述防水絕緣層(3)和犧牲層(4)上方,并在所述摻雜基板(1)的中心區淀積有所述振膜(5),所述振膜(5)與所述摻雜基板(1)之間通過移除所述犧牲層(4)后的空隙形成電容器,所述振膜(5)的下部設置所述聲腔(6),所述聲腔(6)從摻雜基板(1)上對應于設置所述振膜(5)的中心區域貫穿整個摻雜基板(1)。
2.根據權利要求1所述的一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,所述摻雜基板(1)在靠近所述振膜(5)一側設置有摻雜基板電極(2),所述摻雜基板電極(2)與摻雜基板(1)電性連接;在所述振膜(5)上設置有振膜電極(7),所述振膜電極(7)與振膜(5)電性連接。
3.根據權利要求1所述的一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,所述的防水絕緣層(3)附著在靠近振膜(5)的面上。
4.根據權利要求1所述的一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,所述的防水絕緣層(3)附著在靠近摻雜基板(1)的面上。
5.根據權利要求1所述的一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,所述防水絕緣層(3)的材料包括氮化硅或聚酰亞胺,所述振膜(5)使用導電多晶硅材料實現。
6.根據權利要求1所述的一種可防水汽的電容式微型麥克風,其特征在于,所述振膜(5)上,并且在對應聲腔(6)的中心區域以外,設有刻蝕槽或刻蝕孔。
7.一種電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
步驟S1:提供摻雜基板(1);
步驟S2:在摻雜基板(1)的表面淀積犧牲層(4),并選擇性地掩蔽和刻蝕犧牲層(4),在犧牲層(4)的表面淀積防水絕緣層(3),并選擇性地掩蔽和刻蝕防水絕緣層(3),并在防水絕緣層(3)的表面淀積振膜(5),并選擇性地掩蔽和刻蝕振膜(5);
步驟S3:利用在犧牲層(4)的形狀和所設置的刻蝕槽或刻蝕孔,得到振膜(5)結構;
步驟S4:將振膜(5)作為掩膜,刻蝕犧牲層(4);
步驟S5:在振膜(5)的表面淀積金屬,并通過刻蝕留出的振膜(5)、犧牲層(4)、防水絕緣層(3)上的金屬注入孔,在摻雜基板(1)上和振膜(5)上同時形成引出的摻雜基板電極(2)和振膜電極(7);
步驟S6:選擇性地掩蔽和刻蝕摻雜基板(1)對應于淀積振膜(5)中心區域的另一表面,在摻雜基板(1)對應于淀積振膜(5)的另一端形成聲腔(6),所述聲腔(6)位于振膜(5)的下方,聲腔(6)從摻雜基板(1)上對應于設置振膜(5)的中心區域貫穿整個摻雜基板(1);
步驟S7:刻蝕犧牲層(4),去除摻雜基板(1)與振膜(5)的可動部分之間的犧牲層(4)。
8.根據權利要求7所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述步驟S2的替換方式為:先在摻雜基板(1)的表面淀積防水絕緣層(3),并選擇性地掩蔽和刻蝕后,再在防水絕緣層(3)的表面淀積犧牲層(4),并選擇性地掩蔽和刻蝕,在犧牲層(4)的表面淀積振膜(5),并選擇性地掩蔽和刻蝕振膜(5)。
9.根據權利要求7或8所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述犧牲層(4)材料為二氧化硅或磷硅玻璃。
10.根據權利要求7或8所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,在犧牲層(4)上利用光刻形成多個凹槽,振膜(5)淀積入凹槽形成朝向摻雜基板(1)的突起。
11.根據權利要求7或8所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述的防水絕緣層(3)包括自組裝單分子層,防水絕緣層(3)的總厚度不超過1微米。
12.根據權利要求7或8所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述步驟S5中淀積的金屬為金、鎘、鎳、鈦和銀中選用一種或幾種。
13.根據權利要求7或8所述的電容式微型麥克風的制備方法,其特征在于,所述的摻雜基板(1)在靠近振膜(5)的一側用離子注入的方式進行部分摻雜,或選用全部摻雜的硅片制作。
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