[發(fā)明專利]背側(cè)金屬-氧化物-金屬/金屬-絕緣體-金屬器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310096995.1
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103367244A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·B·譚;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西婭
• 申請（專利權(quán)）人: 新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，其包括：

形成襯底，其具有前側(cè)與相對該前側(cè)的背側(cè)，該襯底在該襯底的前側(cè)上包含電路系統(tǒng)；以及

于該襯底的背側(cè)上形成金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容器、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容器、或其結(jié)合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括于該襯底中形成硅通孔TSV，其將該MOM電容器、該MIM電容器、或其結(jié)合連接至該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)包含前側(cè)MOM電容器、前側(cè)MIM電容器、或其結(jié)合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括通過形成多個(gè)平行觸指來形成該MOM電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括通過形成多個(gè)超厚金屬UTM觸指來形成該平行觸指。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括通過下列步驟來形成該MOM電容器：

于該襯底的背側(cè)上形成第一層，其包含第一組平行觸指；以及

于該襯底的背側(cè)上的該第一層下方形成一個(gè)或多個(gè)其它層，其包含一個(gè)或多個(gè)其它組平行觸指。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括通過形成包含第一組互連觸指及與該第一組互連觸指交錯(cuò)的第二組互連觸指的層來形成該MOM電容器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括通過形成第一板、第二板、及在該第一板與該第二板間的介電層來形成該MIM電容器。

9.一種器件，其包括：

襯底，其具有前側(cè)與相對該前側(cè)的背側(cè)；

電路系統(tǒng)，其位于該襯底的前側(cè)上；以及

金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容器、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容器、或其結(jié)合，其位于該襯底的背側(cè)上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，包括位于該襯底中的硅通孔TSV，其將該MOM電容器、該MIM電容器、或其結(jié)合連接至該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)包含前側(cè)MOM電容器、前側(cè)MIM電容器、或其結(jié)合。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，該MOM電容器包含多個(gè)平行觸指。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，該平行觸指包含多個(gè)超厚金屬UTM觸指。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，該MOM電容器包括：

第一層，其位于該襯底的背側(cè)上，且包含第一組平行觸指；以及

一個(gè)或多個(gè)其它層，其位于該襯底的背側(cè)上的該第一層下方，且包含一個(gè)或多個(gè)其它組平行觸指。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，該MOM電容器包括包含第一組互連觸指及與該第一組互連觸指交錯(cuò)的第二組互連觸指的層。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，該MIM電容器包含第一板、第二板、及在該第一板與該第二板間的介電層。

17.一種方法，其包括：

形成襯底，其具有前側(cè)與相對該前側(cè)的背側(cè)；

于該襯底的前側(cè)上形成電路系統(tǒng)；

于該襯底中形成硅通孔TSV，其電性連接至該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)；以及

于該襯底的背側(cè)上形成金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容器、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容器、或其結(jié)合，其電性連接至該TSV。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)包含前側(cè)MOM電容器、前側(cè)MIM電容器、或其結(jié)合，該方法包括：

通過于該襯底的背側(cè)上形成至少一層來形成該MOM電容器，各層包含多個(gè)平行觸指。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，該襯底的前側(cè)上的電路系統(tǒng)包含前側(cè)MOM電容器、前側(cè)MIM電容器、或其結(jié)合，該方法包括：

通過形成第一板、第二板、及在該第一板與該第二板間的介電層來形成該MIM電容器。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包括使用標(biāo)準(zhǔn)芯片堆棧/封裝技術(shù)將該MOM電容器、該MIM電容器、或其結(jié)合及其它電路系統(tǒng)、器件、或其結(jié)合封裝。