[發明專利]半導體裝置及其制造方法和電子設備

有效

• 申請號: 201310092864.6
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN103247648A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 梅林拓;高橋洋;莊子禮二郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種半導體裝置，其具行背面照明的固態成像裝置，所述半導體裝置包括：

第一半導體層，其包括像素陣列，和

第二半導體層，其包括邏輯電路，

其中，

所述第一半導體層和所述第二半導體層結合在一起，并且

所述像素陣列和所述邏輯電路電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，包括

電連接所述像素陣列和所述邏輯電路的第一連接導體。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體通過所述第一半導體層。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體連接所述第一半導體層的最下層和所述第二半導體層的最上層。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，包括

連接到所述邏輯電路的第二連接導體。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中

所述第二連接導體的表面在所述第二半導體層的表面處暴露。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，包括

連接到所述第二連接導體的電極凸緣。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中

所述第二連接導體連接所到述第二半導體層的最下層。

9.根據權利要求3所述的半導體裝置，包括

第二連接導體，連接到所述第一半導體層中的所述第一連接導體。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體連接所述第二半導體層的最上層并且所述第二連接導體連接所述第一半導體層的最上層。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體或所述第二連接導體的表面在所述第一半導體層上暴露。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，包括

連接到所述第一連接導體和所述第二連接導體的墊。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置，包括

連接到所述邏輯電路的第三連接導體，所述第三連接導體的表面在所述第二半導體層的表面處暴露。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，包括

連接到所述第三連接導體的電極凸緣。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中

所述第三連接導體連接到所述第二半導體層的最下層。

16.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體的表面在所述第一半導體層的上側處暴露。

17.根據權利要求16所述的半導體裝置，包括

連接到所述第一連接導體的墊。

18.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體位于布置所述像素陣列的像素區域的外側。

19.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述第一半導體層的厚度小于所述第二半導體層的厚度。

20.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體在所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一者的結合表面處暴露。

21.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述像素陣列包括光電二極管和傳輸晶體管、復位晶體管和放大晶體管中的至少一個；并且

所述邏輯電路包括信號處理電路。

22.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述第一連接導體形成為使其通過所述第一半導體層并從所述第一半導體層的背側向所述第二半導體層直線地延伸。