[發明專利]顯示裝置及其制造方法、修理顯示裝置的方法及電子設備有效
| 申請號: | 201310089632.5 | 申請日: | 2013-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103367390B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 上杉昌尚;山田二郎;師岡光雄;廣升泰信 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 修理 電子設備 | ||
1.一種顯示裝置,包括布置成二維矩陣的發光元件,
其中該發光元件包括設置在基板上的驅動電路、覆蓋該驅動電路和該基板的第一絕緣層、發光部分以及第二絕緣層,在該發光部分中層疊有第一電極、具有發光層的有機層和第二電極,該第二絕緣層覆蓋該第一電極,
該發光元件還包括輔助電極層和形成在該基板上的接觸部分,
該第一電極形成在該第一絕緣層上并且通過第一電極延伸部分電連接到該驅動電路,該第一電極延伸部分形成在該第一絕緣層中設置的第一開口上,
該有機層至少形成在該第一電極的于第二開口的底部暴露的部分上,該第二開口形成在該第二絕緣層上,
第三開口形成于該第一絕緣層上,在該第三開口的底部暴露該接觸部分,
第四開口至少形成于該第二絕緣層上,在該第四開口的底部暴露該接觸部分,
該輔助電極層形成為遠離該第一電極,并且位于從該第一絕緣層的上部區域到該第三開口的內部區域的范圍上,并且
該第二電極形成在從該有機層的上部區域到該第二絕緣層的上部區域再到該第四開口的內部區域的范圍上,
其中該接觸部分具有從該基板側至少依次層疊第一接觸層和第二接觸層的結構,并且
形成該第二接觸層的材料的蝕刻速率低于形成該第一電極的材料的蝕刻速率。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中形成該第二接觸層的材料是難以氧化的金屬或者是含有該難以氧化的金屬的材料。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中形成該第一接觸層的材料是導電率高于形成該第二接觸層的材料的金屬或者是含有具有較高導電率的該金屬的材料。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中該驅動電路包括柵極電極、柵極絕緣層、溝道形成區域和源極/漏極電極,并且
該源極/漏極電極與該接觸部分具有相同的構造。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中形成該輔助電極層的材料與形成該第一電極的材料相同。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中該輔助電極層的在該第一絕緣層上的部分以遠離形成在該第一絕緣層上的該第一電極的狀態來圍繞該第一電極。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中通過形成在該基板上的該接觸部分和從該接觸部分延伸的配線層,該輔助配線層的位于該顯示裝置的顯示區域邊緣的部分連接到設置在該顯示裝置的周邊部分中的電源。
8.一種電子設備,包括:
根據權利要求1所述的顯示裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





