[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310088607.5
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN104064449B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 王冬江;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟S101：提供前端器件，在所述前端器件上依次形成過渡層、硬掩膜層和光刻膠層；

步驟S102：對所述過渡層、硬掩膜層和光刻膠層進行構圖處理，形成位于所述前端器件的非離子注入區上方的包括圖形化的過渡層的離子注入掩膜；

步驟S103：利用所述離子注入掩膜對所述前端器件進行離子注入；

步驟S104：去除所述離子注入掩膜。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述過渡層的材料為有機材料。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述過渡層的材料為底部抗反射層材料。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入掩膜包括圖形化的過渡層和圖形化的硬掩膜層，所述步驟S102包括：

步驟S1021：對所述光刻膠層進行構圖，形成位于所述前端器件的非離子注入區上方的圖形化的光刻膠層；

步驟S1022：以所述圖形化的光刻膠層為掩膜對所述硬掩膜層進行刻蝕，去除所述硬掩膜層位于所述圖形化的光刻膠層覆蓋的區域以外的部分，形成圖形化的硬掩膜層；

步驟S1023：以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，去除所述過渡層位于所述圖形化的硬掩膜層覆蓋的區域以外的部分，形成圖形化的過渡層。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1023中，在對所述過渡層進行刻蝕的過程中，所述圖形化的光刻膠層被刻蝕去除。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入掩膜僅包括圖形化的過渡層，所述步驟S102包括：

步驟S1021’：對所述光刻膠層進行構圖，形成位于所述前端器件的非離子注入區上方的圖形化的光刻膠層；

步驟S1022’：以所述圖形化的光刻膠層為掩膜對所述硬掩膜層進行刻蝕，去除所述硬掩膜層位于所述圖形化的光刻膠層覆蓋的區域以外的部分，形成圖形化的硬掩膜層；

步驟S1023’：以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，去除所述過渡層位于所述圖形化的硬掩膜層覆蓋的區域以外的部分，形成圖形化的過渡層；并且，在對所述過渡層進行刻蝕的過程中，所述圖形化的光刻膠層被刻蝕去除；

步驟S1024’：刻蝕去除所述圖形化的硬掩膜層。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S104包括：

步驟S1041：形成覆蓋所述前端器件的離子注入區和所述離子注入掩膜的犧牲層；

步驟S1042：去除所述犧牲層位于所述圖形化的過渡層上方的部分以及所述圖形化的硬掩膜；

步驟S1043：去除所述犧牲層剩余的部分以及所述圖形化的過渡層。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為有機材料。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為底部抗反射層材料。

10.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與所述過渡層的材料相同。

11.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1042中所采用的去除方法為干法刻蝕。

12.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1043包括：通過灰化工藝去除所述犧牲層剩余的部分和所述圖形化的過渡層。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1043中，在通過灰化工藝去除所述犧牲層剩余的部分和所述圖形化的過渡層之后，還包括對所述前端器件進行濕法刻蝕去除灰化殘留物的步驟。

14.如權利要求1至13任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述步驟S103完成的是對所述前端器件的PMOS區的離子注入；并且，所述方法還包括步驟S105：以與所述步驟S101至步驟S104相同的方式，完成對所述前端器件的NMOS區的離子注入；

或者，

所述步驟S103完成的是對所述前端器件的NMOS區的離子注入；并且，所述方法還包括步驟S105：以與所述步驟S101至步驟S104相同的方式，完成對所述前端器件的PMOS區的離子注入。