[發明專利]帶凹杯LED氮化鋁陶瓷支架的制備方法有效
| 申請號： | 201310082908.7 | 申請日： | 2013-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN103208577A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 吳朝暉;劉浩;李杰民;廖秋榮 | 申請（專利權）人： | 東莞市凱昶德電子科技股份有限公司;深圳市泓亞光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 徐勛夫 |
| 地址： | 523000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶凹杯 led 氮化 陶瓷 支架 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶凹杯LED氮化鋁陶瓷支架的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）清洗，對帶凹杯氮化鋁陶瓷片進行清洗，去除陶瓷片表面的雜質和沾污；
（2）真空濺鍍，以真空濺鍍方式在帶凹杯氮化鋁陶瓷片表面依序形成一鈦層以及一銅層；?
（3）激光布線，利用激光在鍍膜后的帶凹杯氮化鋁陶瓷片表面有選擇地去除部分金屬層，形成細微立體的線路圖案；
（4）電鍍加厚，在成形的立體線路圖案上電鍍銅加厚，形成銅線路；
（5）化學蝕刻，采用化學蝕刻方式去除氮化鋁陶瓷表面除銅線路以外的鈦層及銅層，在帶凹杯氮化鋁陶瓷片上獲得細微立體導電線路層；
根據權利要求1所述的帶凹杯LED氮化鋁陶瓷支架的制備方法，其特征在于：所述帶凹杯陶瓷片的主要成分為具有高導熱系數的氮化鋁陶瓷。
2.根據權利要求1所述的帶凹杯LED氮化鋁陶瓷支架的制備方法，其特征在于：步驟（2）中真空濺鍍所形成的該鈦層厚度為0.02～0.1μm；銅層厚度為0.5～1.0μm。
3.根據權利要求1所述的帶凹杯LED氮化鋁陶瓷支架的制備方法，其特征在于：進一步包括有以下步驟：
（7）鍍鎳，在前述陶瓷基板和銅線路的表面鍍上鎳層；
（8）鍍金/銀，在前述鎳層的表面鍍上金層或者銀層。
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