[發明專利]一種去除晶圓殘留溴化氫的裝置及方法無效
| 申請號： | 201310081926.3 | 申請日： | 2013-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN103219223A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發明（設計）人： | 邵克堅;彭國發 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;B08B5/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 殘留 溴化氫 裝置 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除晶圓殘留溴化氫的裝置，包括設置在一冷卻腔內的晶圓冷卻臺，其特征在于，所述冷卻腔上設置有一噴灑氣體的裝置。?
2.根據權利要求1所述的去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，所述冷卻腔上還設置有一酸排氣管；?
所述噴灑氣體的裝置為一噴淋嘴，該噴淋嘴向所述冷卻臺噴灑氣體。?
3.根據權利要求2所的述去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，所述噴淋嘴噴灑的氣體為高溫氮氣。?
4.根據權利要求2所述的去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，所述噴淋嘴的開口端方向朝向所述冷卻臺的上表面。?
5.根據權利要求1所述的去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，所述酸排氣管設置在所述冷卻臺的正下方，所述噴淋嘴設置在所述冷卻臺的正上方。?
6.根據權利要求5所述的去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，所述噴淋嘴的開口形狀為網格狀。?
7.一種去除晶圓殘留溴化氫的方法，應用于上述權利要求2-5中任意一項所述去除晶圓殘留溴化氫的裝置，其特征在于，包括以下步驟：?
S1、于所述冷卻臺上放置表面殘留有溴化氫的晶圓；?
S2、所述噴淋嘴向所述晶圓的上表面噴灑所述高溫氮氣，以汽化殘留在所述晶圓表面的溴化氫；?
S3、所述酸排氣管將所述冷卻腔內的所述高溫氮氣及汽化后的所述溴化氫排出所述冷卻腔。?
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310081926.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
