[發明專利]用于潤濕預處理以進行貫通抗蝕劑金屬電鍍的方法和裝置

有效

• 申請號: 201310080545.3
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103305886B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 布萊恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·邁耶;托馬斯·A·波努司瓦米;羅伯特·拉什;布賴恩·布萊克曼;道格·希格利
• 申請（專利權）人: 諾發系統公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;H01L21/768
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于晶片襯底處理的裝置，其包括：

脫氣器，其被配置為從預潤濕流體去除一種或多種溶解的氣體以產生脫氣預潤濕流體；

處理室，其包括：

晶片保持架，其被配置為保持晶片襯底并被配置為旋轉所述晶片襯底，

真空端口，其被配置為使得能在所述處理室中形成低于大氣壓的壓強，以及

流體入口，其聯接到所述脫氣器，并被配置為以至少7米每秒的速率將所述脫氣預潤濕流體輸送到所述晶片襯底上；以及

控制器，其包括用于下述操作的程序指令：

以第一旋轉速率旋轉所述晶片襯底，以及

在以所述第一旋轉速率旋轉所述晶片襯底的同時，通過使所述晶片襯底與來自所述脫氣器的并能以至少0.4升每分鐘的流率通過所述流體入口的所述脫氣預潤濕流體接觸，從而在所述處理室中在所述低于大氣壓的壓強在所述晶片襯底上形成潤濕層，所述脫氣預潤濕流體處于液體狀態。

2.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述流體入口包括被配置為輸送所述脫氣預潤濕流體到所述晶片襯底上的噴嘴，且其中所述噴嘴被安裝在所述處理室的側壁。

3.根據權利要求2所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述噴嘴是被配置為輸送所述脫氣預潤濕流體到所述晶片襯底上以使得撞擊所述晶片襯底的所述脫氣預潤濕流體具有線條的形狀的扇形噴嘴。

4.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述流體入口包括歧管，所述歧管包括被配置為輸送所述脫氣預潤濕流體到所述晶片襯底上的至少一個噴嘴，且其中所述噴嘴位于所述晶片襯底的上方。

5.根據權利要求4所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述至少一個噴嘴包括被配置為輸送所述脫氣預潤濕流體到所述晶片襯底上以使得撞擊所述晶片襯底的所述脫氣預潤濕流體具有線條的形狀的扇形噴嘴。

6.根據權利要求4所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述處理室包括蓋和本體，其中所述蓋保持靜止，而所述本體被配置為以基本垂直的方式運動，從而將所述本體帶至與所述蓋接觸，并形成真空密封，并且其中所述噴嘴連接至所述蓋。

7.根據權利要求4所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述噴嘴被配置為從所述晶片襯底的邊緣大致到所述晶片襯底的中央將所述脫氣預潤濕流體輸送到所述晶片襯底上。

8.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述晶片保持架被配置為以基本面朝上的方向保持所述晶片襯底。

9.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述脫氣器包括膜片接觸脫氣器。

10.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述脫氣器被配置為產生用于接觸所述晶片襯底的具有0.5ppm或以下的溶解的大氣氣體的脫氣預潤濕流體。

11.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述預潤濕流體是去離子水和用于幫助從所述晶片襯底松脫并去除顆粒的化學溶液中的至少一種。

12.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述真空端口位于所述晶片保持架下方。

13.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述處理室被配置為在所述晶片襯底上形成所述潤濕層的過程中保持所述低于大氣壓的壓強低于50乇。

14.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述程序指令進一步包括用于下述操作的指令：

在所述晶片襯底上形成所述潤濕層后，停止所述脫氣預潤濕流體的輸送，以及

在停止所述脫氣預潤濕流體的所述輸送后，以第二旋轉速率旋轉所述晶片襯底，以從所述晶片襯底去除多余的表面夾帶的脫氣預潤濕流體。

15.根據權利要求14所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述程序指令進一步包括用于下述操作的指令：

在停止所述脫氣預潤濕流體的所述輸送后，并在去除所述多余的表面夾帶的脫氣預潤濕流體之前，將所述處理室中的壓強增大至大氣壓強或者至大氣壓強以上。

16.根據權利要求1所述的用于晶片襯底處理的裝置，其中所述程序指令進一步包括用于下述操作的指令：

在所述晶片襯底上形成所述潤濕層之前將所述處理室中的壓強降低到所述低于大氣壓的壓強。