[發明專利]包括氮化物基半導體全方向反射器的發光裝置

有效

• 申請號: 201310080154.1
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103325904B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 黃京旭;樸成恩;鄭薰在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,張帆

1.一種發光裝置，包括：

氮化物基半導體層；

置于所述氮化物基半導體層上的氮化物基反射器；和

置于所述氮化物基反射器上的發光單元，

其中所述氮化物基反射器包括交替層疊的未摻雜氮化物半導體層和重度摻雜氮化物半導體層，并且每個所述重度摻雜氮化物半導體層的面積小于相鄰的未摻雜氮化物半導體層的面積，以在相鄰的未摻雜氮化物半導體層之間形成空氣層，并且所述氮化物基半導體層的面積不小于所述未摻雜氮化物半導體層的面積，并且所述氮化物基半導體層具有與所述重度摻雜氮化物半導體層相同的摻雜。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述氮化物基反射器由GaN形成。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述氮化物基反射器包括5到10個未摻雜氮化物半導體層和置于所述未摻雜氮化物半導體層之間的重度摻雜氮化物半導體層。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中每個所述重度摻雜氮化物半導體層的面積是每個所述重度摻雜氮化物半導體層和每個所述空氣層的總面積的10％到20％。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，其中所述空氣層的高度在從100nm到200nm的范圍內。

6.根據權利要求4所述的發光裝置，其中所述未摻雜氮化物半導體層的高度在從20nm到100nm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述發光單元置于所述氮化物基反射器的最上面的層上。

8.一種發光裝置，包括：

氮化物基反射器；和

置于所述氮化物基反射器上的發光單元，

其中所述氮化物基反射器包括交替層疊的未摻雜氮化物半導體層和重度摻雜氮化物半導體層，并且所述氮化物基反射器還包括在相鄰的未摻雜氮化物半導體層之間圍繞所述重度摻雜氮化物半導體層的空洞層，所述空洞層具有多個氣孔。

9.根據權利要求8所述的發光裝置，其中所述氮化物基反射器由GaN形成。

10.根據權利要求8所述的發光裝置，其中所述氮化物基反射器包括7到15個未摻雜氮化物半導體層和在所述未摻雜氮化物半導體層之間的重度摻雜氮化物半導體層。

11.根據權利要求8所述的發光裝置，其中每個所述重度摻雜氮化物半導體層的厚度在從100nm到200nm的范圍內。

12.根據權利要求8所述的發光裝置，其中每個所述未摻雜氮化物半導體層的厚度在從20nm到100nm的范圍內。

13.根據權利要求8所述的發光裝置，其中所述發光單元置于所述氮化物基反射器的最上面的層上。

14.根據權利要求8所述的發光裝置，其中每個所述重度摻雜氮化物半導體層的面積小于所述未摻雜氮化物半導體層的面積。

15.一種用于形成發光裝置的方法,包括步驟：

(a)形成交替層疊的第一數量的第一GaN層和第二數量的第二GaN層，使得最上面的層和最下面的層都是所述第一GaN層；

(b)移除所述第一GaN層中的一些和所述第二GaN層中的一些的一部分；

(c)蝕刻所述第二GaN層中的一些的邊緣部分，以在相鄰的第一GaN層之間形成空氣層；

(d)在最上面的第一GaN層上形成發光單元。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括步驟：

形成襯底；和

在所述襯底上形成由GaN形成的緩沖層，

其中所述第一數量的第一GaN層和所述第二數量的第二GaN層形成在所述緩沖層上。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述步驟(b)移除除了最下面的第一GaN層和最下面的第二GaN層以外的所述第一GaN層的邊緣和所述第二GaN層的邊緣。

18.根據權利要求16所述的方法，其中所述步驟(c)包括：

(c1)在由步驟(b)形成的暴露的第二GaN層上形成電極；以及

(c2)將正電壓施加給所述電極，將負電壓施加給所述襯底。