[發(fā)明專利]高溫超導薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310079699.0 | 申請日： | 2013-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN103184513A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 薛其坤;馬旭村;王立莉;陳曦;賈金鋒;何珂;季帥華;張文號;王慶艷;李志 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學;中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高溫 超導 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種高溫超導薄膜的制備方法，其包括以下步驟：
a)?提供一SrTiO3基底，將該SrTiO3基底置于一超高真空系統(tǒng)中；
b)?利用分子束外延生長技術生長一FeSe單晶層于該SrTiO3基底的表面；以及
c)?利用分子束外延生長技術生長一具有層狀晶體結(jié)構(gòu)的保護層覆蓋于該FeSe單晶層的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟a中，在將該SrTiO3基底置于所述超高真空系統(tǒng)中前，對所述SrTiO3基底進行30分鐘~60分鐘的酸處理，以及在950℃~1000℃之間進行2.5小時~3.5小時的熱處理。
3.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟b中，在生長所述FeSe單晶層前，將所述SrTiO3基底升溫至600℃~650℃之間，進行2.5小時~3.5小時的除氣處理。
4.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟b中，在生長所述FeSe單晶層時，所述SrTiO3基底的溫度保持在380℃~420℃之間。
5.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟b中，在生長所述FeSe單晶層時，分別提供一Fe源和一Se源，所述Fe源的生長溫度保持在1000℃~1100℃之間，所述Se源的生長溫度保持在130℃~150℃之間。
6.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟b中，在生長完所述FeSe單晶層后，將所述SrTiO3基底升溫至450℃~550℃之間，進行20小時~30小時的退火處理。
7.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟c中，所述保護層為一FeTe單晶層。
8.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟c中，在生長所述FeTe單晶層時，所述SrTiO3基底的溫度保持在310℃至330℃之間。
9.如權(quán)利要求1所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，在步驟c中，在生長所述FeTe單晶層時，分別提供一Fe源和一Te源，所述Fe源的生長溫度保持在1000℃~1100℃之間，所述Te源的生長溫度保持在240℃~280℃之間。
10.如權(quán)利要求7所述的高溫超導薄膜的制備方法，其特征在于，所述FeTe單晶層為2~10原胞厚的FeTe單晶薄膜，所述FeSe單晶層為1~5原胞厚的FeSe單晶薄膜。
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