[發明專利]可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的制備及自修復方法

無效

• 申請號: 201310079344.1
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103159969A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王榮國;郝立峰;曹振興;王琪;劉文博;矯維成;楊帆;徐忠海;張劍光;赫曉東
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L33/12;C08K3/08;C08J7/00;B05D1/40
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的制備方法，其特征在于該方法具體是按照以下步驟制備的：

一、將聚甲基丙烯酸甲脂樹脂溶于三氯甲烷中，得到聚甲基丙烯酸甲脂樹脂質量濃度為2%～6%的溶液；

二、將粒徑為48nm～52nm的金納米粒子加入到步驟一得到的溶液中，混合均勻，得到金納米粒子質量濃度為3.0x10^-3wt%～2.1x10^-2wt%的混合溶液；

三、采用旋轉涂敷的方法將步驟二得到的混合溶液均勻覆蓋在硅基底上，旋轉涂敷時控制轉速為480rpm～520rpm，保持3s～10s，然后控制轉速為1800rpm～2200rpm，保持30s～60s，再控制轉速為3800rpm～4200rpm，保持45s～80s，再放在熱板上，在溫度為160℃～220℃條件下保持85s～95s，制得可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜。

2.根據權利要求1所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中到聚甲基丙烯酸甲脂樹脂質量濃度為3%～4%。

3.根據權利要求2所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中金納米粒子質量濃度為9.0x10^-3wt%～2.0x10^-2wt%。

4.根據權利要求3所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的制備方法，其特征在于步驟三中在溫度為180℃～200℃條件下保持88s～92s。

5.如權利要求1制備的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于該自修復方法按以下步驟進行：將受損后的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜采用波長為520nm～550nm、光強為5W/cm²～50W/cm²的光源照射1min～5min，完成受損聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復。

6.根據權利要求5所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于照射光源波長為530nm～540nm。

7.根據權利要求6所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于照射光源波長為532nm。

8.根據權利要求7所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于照射光源光強為10W/cm²～40W/cm²。

9.根據權利要求8所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于照射光源光強為15W/cm²。

10.根據權利要求9所述的可自修復的聚甲基丙烯酸甲脂樹脂薄膜的自修復方法，其特征在于照射光源照射2min～3min。