[發明專利]摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201310078925.3
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103236501A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 韓宏偉;徐覓;李雄;劉廣輝;汪恒;榮耀光;庫治良;劉林峰
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/44;H01G9/20
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李佑宏

1.一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，以用于制備太陽能電池，其特征在于，該方法具體包括：

將機空穴傳輸材料與有機溶劑混合配制成有機空穴傳輸材料溶液的步驟；

將金屬鹵化物與有機溶劑混合配制成金屬鹵化物摻雜劑溶液的步驟；

將有機空穴傳輸材料溶液與金屬鹵化物摻雜劑溶液混合形成混合溶液的步驟；以及

將混合溶液旋涂于基底上，加熱烘干后即得到所述的空穴傳輸層的步驟。

2.根據權利要求1所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物摻雜到有機空穴傳輸材料中的摻雜濃度按質量分數在1%到50%之間。

3.根據權利要求1或2所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物摻雜到有機空穴傳輸材料中的摻雜濃度按質量分數在5%到40%之間。

4.根據權利要求1-3之一所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物摻雜到有機空穴傳輸材料中的摻雜濃度按質量分數在5.9%-25%之間。

5.根據權利要求1-4之一所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述有機空穴傳輸材料為P3HT、spiro-OMeTAD、聚3-辛基噻吩、P3OT、聚3，4-乙撐二氧噻吩、PEDOT和TPD中至少一種。

6.根據權利要求1-5之一所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物為四氯化錫和五氯化銻中至少一種。

7.根據權利要求1-6之一所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑為氯苯、二氯苯和乙腈中至少一種。

8.根據權利要求1-7之一所述的一種摻雜金屬鹵化物的有機空穴傳輸層的制備方法，其特征在于，所述基底材料為TiO₂，SnO₂，ZnO，Al₂O₃，單晶硅和多晶硅中任意一種。

9.一種利用權利要求1-8之一所述的方法制備的有機空穴傳輸層。

10.一種太陽能電池，其具有如權利要求9所述的有機空穴傳輸層。