[發明專利]一種雷達與紅外兼容隱身材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310078127.0
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103158299A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 程海峰;田浩;劉海韜;周永江
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: B32B15/08
• 分類號: B32B15/08;B32B37/02;B32B37/12;B32B38/14;B32B38/18
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪;楊斌

1.一種雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述隱身材料從上到下依次包括金屬型容性頻率選擇表面層、中間介質層、電阻型容性頻率選擇表面層和介質基底層；所述金屬型容性頻率選擇表面層和電阻型容性頻率選擇表面層均為矩陣式結構，所述金屬型容性頻率選擇表面層選用的金屬為具有低紅外發射率的金屬；所述中間介質層和介質基底層的介電常數為3～10，介電損耗為0.01～0.50。

2.根據權利要求1所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述低紅外發射率的金屬為金、銀、銅或鉑。

3.根據權利要求1所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述金屬型容性頻率選擇表面層的厚度t3為0.01mm～0.02mm，所述中間介質層的厚度t2為0.1mm～0.2mm，所述電阻型容性頻率選擇表面層的厚度t1為0.015mm～0.02mm，所述介質基底層的厚度t為1.5mm～2.8mm。

4.根據權利要求1所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，具有矩陣式結構的所述電阻型容性頻率選擇表面層的周期單元尺寸a為12.4mm～17.73mm，其周期單元尺寸a的比例系數x為0.58～0.74。

5.根據權利要求4所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，設具有矩陣式結構的所述金屬型容性頻率選擇表面層的周期單元尺寸為b，且設n=a/b，則n=6～12。

6.根據權利要求5所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述金屬型容性頻率選擇表面層的周期單元尺寸b的比例系數y為0.6～0.9。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述電阻型容性頻率選擇表面層的方阻Rs為20Ω/□～180Ω/□。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的雷達與紅外兼容隱身材料，其特征在于，所述介質基底層的介電常數Er1為3～10，介電損耗tanδ1為0.01～0.50。

9.一種如權利要求1～8中任一項所述的雷達與紅外兼容隱身材料的制備方法，包括以下步驟：

（1）采用絲網印刷、磁控濺射或蒸鍍工藝在所述中間介質層上制備一金屬膜層；

（2）采用PCB工藝或電路板雕刻工藝在所述金屬膜層上刻蝕出符合設計和參數要求的所述金屬型容性頻率選擇表面層；

（3）通過絲網印刷工藝采用導電碳漿在所述介質基底層上制備符合設計和參數要求的所述電阻型容性頻率選擇表面層；

（4）采用真空袋壓的方法，通過粘結劑將附著有金屬型容性頻率選擇表面層的中間介質層、電阻型容性頻率選擇表面層和介質基底層粘合成整體，得到雷達與紅外兼容隱身材料。