[發(fā)明專利]一種射線探測器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310077728.X
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103165635A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田宗民;閻長江;謝振宇
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種射線探測器，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的柵極層；

形成在所述柵極層上的絕緣層；

在形成有所述絕緣層的基板上形成的光電二極管；

在形成有所述絕緣層的基板上形成的源漏極層，所述源漏極層的漏極與所述光電二極管相連接；

形成在所述源漏極層上的有源層，所述有源層連接所述源漏極層；

形成在所述有源層上以及所述源漏極層上的第一鈍化層，并在所述第一鈍化層上開設(shè)過孔；

形成在所述光電二極管上、第一鈍化層上及所述過孔中的導(dǎo)電薄膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的射線探測器，其特征在于，所述光電二極管包括形成于所述絕緣層上的P型半導(dǎo)體層，形成于所述P型半導(dǎo)體層上的本征半導(dǎo)體層，以及形成于所述本征半導(dǎo)體層上的N型半導(dǎo)體層。

3.如權(quán)利要求2所述的射線探測器，其特征在于，所述光電二極管的P型半導(dǎo)體層與所述源漏極層的漏極相連接。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的射線探測器，其特征在于，所述射線探測器還包括形成在所述導(dǎo)電薄膜層上的第二鈍化層。

5.一種射線探測器制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵極層；

在形成有所述柵極層的基板上形成絕緣層，并在形成有所述絕緣層的基板上形成光電二極管；

在形成有所述絕緣層的基板上形成源漏極層；令所述源漏極層的漏極與所述光電二極管相連接；

在所述源漏極層上形成有源層，令所述有源層與所述絕緣層連接；

在所述有源層上以及所述源漏極層上形成第一鈍化層,并在所述第一鈍化層上開設(shè)過孔；

在所述光電二極管上、第一鈍化層上及所述過孔中形成導(dǎo)電薄膜層。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成有所述柵極層的基板上形成絕緣層，并在形成有所述絕緣層的基板上形成光電二極管，具體包括：

在形成有所述柵極層的基板上采用鍍膜工藝形成絕緣層薄膜；

在形成有所述絕緣層薄膜的基板上依次形成P型半導(dǎo)體層，本征半導(dǎo)體層以及N型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層，本征半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層形成所述光電二極管。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成有所述絕緣層的基板上形成源漏極層，具體包括：

在形成有所述絕緣層的基板上采用鍍膜工藝形成導(dǎo)電膜層，對所述導(dǎo)電膜層采用構(gòu)圖工藝形成包括所述源漏極層的圖形。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述源漏極層上形成有源層，令所述有源層與所述絕緣層連接，具體包括：

在所述源漏極層上采用鍍膜工藝形成氧化物層，對所述氧化物層采用構(gòu)圖工藝在所述源漏極層上形成包括所述有源層的圖形，其中，令所述有源層與所述絕緣層連接。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述有源層上以及所述源漏極層上形成第一鈍化層，具體包括：

在所述有源層上以及所述源漏極層上采用鍍膜工藝形成第一鈍化層薄膜，對所述第一鈍化層薄膜采用構(gòu)圖工藝形成包括所述第一鈍化層的圖形。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述光電二極管上、所述第一鈍化層上以及所述過孔中形成導(dǎo)電薄膜層，具體包括：

在所述光電二極管上、第一鈍化層上和所述過孔中采用鍍膜工藝形成導(dǎo)電膜層，對所述導(dǎo)電膜層采用構(gòu)圖工藝形成包括所述導(dǎo)電薄膜層的圖形；其中，所述第一鈍化層為氮化硅層，或者氧化硅層。

11.如權(quán)利要求5-10任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：在所述導(dǎo)電薄膜層上采用鍍膜工藝形成第二鈍化層。