[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310074066.0
• 申請日: 2013-03-08
• 公開（公告）號: CN103311134A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 馬丁·斯坦丁;安德魯·羅伯茨
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李靜

1.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：

在層壓襯底上形成多個第一晶圓開口，所述層壓襯底具有正面和相反的背面；

將多個第一晶圓放置在所述多個第一晶圓開口內；

在所述多個第一晶圓中的每個晶圓周圍形成整體式間隔件，所述整體式間隔件設置在所述層壓襯底與所述多個第一晶圓中的每個晶圓的外側壁之間的間隙內，所述整體式間隔件通過在所述多個第一晶圓中的每個晶圓的頂表面的一部分上部分地延伸而將所述晶圓保持在所述層壓襯底內；以及

在所述層壓襯底的所述正面上形成正面觸點。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述層壓襯底在所述層壓襯底的所述正面之上具有上導電層并且在所述層壓襯底的所述背面之下具有下導電層，所述方法進一步包括在所述多個第一晶圓開口的周圍，從所述正面和所述背面移除所述上導電層和所述下導電層的一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，在將所述多個第一晶圓放置在所述多個第一晶圓開口內之前，將所述層壓襯底放置在載體上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述整體式間隔件包括：

使用印刷工藝，在所述多個第一晶圓中的每個晶圓的周邊周圍的第一區域內沉積間隔件材料；以及

使用光成像工藝，從所述第一區域移除所述間隔件材料的一部分，以形成所述整體式間隔件。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在層壓襯底上形成多個第二晶圓開口；

將多個無源元件放置在所述多個第二晶圓開口內；以及

在所述多個無源元件中的每個元件周圍，形成整體式間隔件，所述整體式間隔件將所述多個無源元件保持在所述層壓襯底內。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在層壓襯底上形成多個第二晶圓開口；

將多個第二晶圓放置在所述多個第二晶圓開口內；以及

在所述多個第二晶圓中的每個元件周圍，形成整體式間隔件，所述整體式間隔件將所述多個第二晶圓保持在所述層壓襯底內。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

涂覆金屬材料，以覆蓋所述層壓襯底的所述正面、所述整體式間隔件的頂表面以及所述多個第一晶圓中的每個晶圓的所述頂表面；

形成電路布置圖，所述電路布置圖包括金屬材料涂層以及在所述金屬材料涂層上形成的厚導電層；以及

形成覆蓋所述電路布置圖的一些部分的焊接掩模。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述金屬材料和所述厚導電層包括銅。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述多個第一晶圓開口的同時，在所述層壓襯底上形成貫穿開口；以及

在形成所述整體式間隔件之后，通過填充所述貫穿開口，利用金屬形成通孔。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述貫穿開口包括：

在所述層壓襯底之上形成抗蝕層；

使用平板印刷術將所述抗蝕層圖案化；以及

將所述抗蝕層用作蝕刻掩膜，蝕刻所述層壓襯底。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述貫穿開口的寬度與所述多個第一晶圓開口中的每個開口的寬度的比率為大約1:200到大約1:500。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括切割所述層壓襯底，以形成多個獨立的封裝件。

13.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：

在層壓襯底上形成多個第一晶圓開口和多個貫穿開口；

將多個第一晶圓放置在所述多個第一晶圓開口內；

在所述多個第一晶圓中的每個晶圓周圍形成整體式間隔件，所述整體式間隔件設置在所述層壓襯底與所述多個第一晶圓中的每個晶圓的外側壁之間的間隙內，所述整體式間隔件通過在所述多個第一晶圓中的每個晶圓的頂表面的一部分上部分地延伸而將所述晶圓保持在所述層壓襯底內；

對所述多個貫穿開口填裝導電材料；以及

在所述層壓襯底上形成觸點，所述觸點中的至少一些與位于所述多個第一晶圓之下的背面觸點耦接。