[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310073566.2
• 申請(qǐng)日: 2013-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN104037355A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;張娟娟;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于：在所述陰極層外表面還層疊結(jié)合有依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層，所述無機(jī)物阻擋層材料包括互相摻雜的硒化物、氮化物和硼化物；所述硒化物占無機(jī)物阻擋層材料總重量的重量百分比為10%～30%，所述硼化物占無機(jī)物阻擋層材料總重量的重量百分比為10%～30%；所述硒化物為Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或Cu₂Se，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硼化物為AlB₂、LaB₆、VB₂、NbB、TiB₂或MoB。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)物阻擋層材料包括互相摻雜的空穴傳輸材料和電子傳輸材料，其中，所述空穴傳輸材料占有機(jī)物阻擋層材料總摩爾百分?jǐn)?shù)的40%～60%。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述空穴傳輸材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-聯(lián)苯二胺、N,N’-二(α-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-二胺、1,1-二((4-N,N’-二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一種。

4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電子傳輸材料為4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)物阻擋層的厚度為200nm～300nm，所述無機(jī)物阻擋層的厚度為100nm～150nm。

6.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)物阻擋層和無機(jī)物阻擋層的交替層疊的次數(shù)為4～6次。

7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

在真空鍍膜系統(tǒng)中，將所述有機(jī)物阻擋層材料蒸鍍?cè)陉帢O層外表面制作有機(jī)物功能層；

在真空體系中，將所述無機(jī)物阻擋層材料磁控濺射在所述有機(jī)功能層外表面制作無機(jī)所述阻擋層；

依次在所述無機(jī)物阻擋層外表面進(jìn)行重復(fù)制備所述有機(jī)功能層和無機(jī)物阻擋層的步驟；

其中，在制備所述無機(jī)物阻擋層步驟中的所述無機(jī)物阻擋層材料包括互相摻雜的硒化物、氮化物和硼化物；所述硒化物占無機(jī)物阻擋層材料總重量的重量百分比為10%～30%，所述硼化物占無機(jī)物阻擋層材料總重量的重量百分比為10%～30%所述硒化物為Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或Cu₂Se，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN，所述硼化物為AlB₂、LaB₆、VB₂、NbB、TiB₂或MoB。

8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：在制備所述有機(jī)物功能層的步驟中，所述蒸鍍時(shí)的真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，所述有機(jī)物阻擋層材料蒸發(fā)速度為

在制備所述無機(jī)物阻擋層的步驟中，所述磁控濺射中的本底真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa。