[發明專利]倒裝芯片封裝技術和配置

有效

• 申請號: 201310071623.3
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103311204A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 弗蘭克·J·尤斯基;羅伯特·C·哈特曼;保羅·D·班茨
• 申請（專利權）人: 特里奎恩特半導體公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李春暉;王娜麗

1.一種裝置，包括：

封裝襯底，所述封裝襯底具有形成在所述封裝襯底上的多個焊墊，所述多個焊墊被配置成承載形成在管芯上的相應的多個互連結構；以及

布置在所述封裝襯底上的助熔底部填充材料，所述助熔底部填充材料包括助熔劑和環氧材料，所述助熔劑被配置成利于在所述多個互連結構中的各個互連結構和所述多個焊墊中的各個焊墊之間形成焊接接合部，所述環氧材料被配置成在形成所述焊接接合部期間硬化以機械地加固所述焊接接合部。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述助熔劑被配置成通過從所述各個互連結構和所述各個焊墊的能焊接的表面除去氧化物而利于所述焊接接合部的形成。

3.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

所述管芯，所述管芯利用所述焊接接合部、以倒裝芯片配置的方式配置在所述封裝襯底上，所述焊接接合部將所述多個互連結構中的所述各個互連結構附接至所述多個焊墊中的所述各個焊墊，其中，所述助熔底部填充材料被布置在所述管芯和所述封裝襯底之間。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述助熔底部填充材料覆蓋所述封裝襯底的面向所述管芯的表面的一部分。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述助熔底部填充材料填充在所述管芯和所述封裝襯底之間的區域。

6.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述助熔底部填充材料覆蓋所述各個互連結構的所述焊接接合部；以及

其中，在所述助熔底部填充材料與所述管芯之間設置有空氣間隙。

7.根據權利要求3所述的裝置，其中，

所述封裝襯底包括印刷電路板；以及

所述多個焊墊被布置在所述印刷電路板的面向所述管芯的表面上。

8.根據權利要求3所述的裝置，其中，

所述封裝襯底包括具有多個開口的撓曲帶，所述多個開口形成在所述撓曲帶的面向所述管芯的第一表面和所述撓曲帶的被布置為與所述第一表面相反的第二表面之間；以及

所述各個焊墊被布置在所述撓曲帶的所述第二表面上，所述各個互連結構通過所述多個開口中的各個開口與所述各個焊墊接合。

9.根據權利要求3所述的裝置，還包括：

片狀模制結構或帶結構，所述片狀模制結構或所述帶結構包括形成在所述管芯上的環氧材料，以密封所述管芯的無源表面和所述管芯的與所述管芯的所述無源表面基本垂直的表面的至少一部分，其中，空氣間隙將所述片狀模制結構或所述帶結構與所述封裝襯底隔開。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中，空氣間隙將所述片狀模制結構或所述帶結構與所述助熔底部填充材料隔開。

11.根據權利要求9所述的裝置，其中，

所述片狀模制結構或所述帶結構的表面具有激光標刻；以及

所述片狀模制結構或所述帶結構的所述表面是平滑的以利于真空粘附。

12.根據權利要求9所述的裝置，其中，所述帶結構形成在所述管芯上，所述帶結構包括第一層和第二層，所述第一層包括B階材料并且所述第二層包括C階材料。

13.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

使用焊膏而表面安裝在所述封裝襯底上的一個或更多個無源元件。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中，所述一個或更多個無源元件包括電容器、電感器、電阻器或濾波器中的至少一種。

15.一種方法，包括：

提供具有形成在封裝襯底上的多個焊墊的所述封裝襯底，所述多個焊墊被配置成承載形成在管芯上的相應的多個互連結構；以及

在所述封裝襯底上沉積助熔底部填充材料，所述助熔底部填充材料包括助熔劑和環氧材料，所述助熔劑被配置成利于使用能焊接的材料在所述多個互連結構中的各個互連結構和所述多個焊墊中的各個焊墊之間形成焊接接合部，所述環氧材料被配置成在形成所述焊接接合部期間硬化以機械地加固所述焊接接合部。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括：

以倒裝芯片配置的方式將所述管芯附接至所述封裝襯底。