[發(fā)明專利]金紅石晶體的生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310069994.8 | 申請日： | 2013-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN103173846B | 公開（公告）日： | 2017-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉寧;張犁園 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號： | C30B9/12 | 分類號： | C30B9/12;C30B29/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金紅石 晶體 生長 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.金紅石晶體的生長方法，采用熔鹽法生長，其特征在于：助熔劑體系為BaCO3—B2O3體系，采用含Ti和Ba的相應(yīng)氧化物或碳酸鹽或硝酸鹽或草酸鹽或硼酸鹽或氫氧化物或其銨鹽和H3BO3或B2O3為原料，TiO2-BaCO3-B2O3的含量克分子比為：1：0.3～2：0.5～4；采用熔鹽法在熔體表面或熔體中生長晶體；晶體生長參數(shù)為1330-1200℃，降溫速率0.5～5℃/天，同時以5-30轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)晶體，待晶體生長到所需尺度后，提起籽晶使其脫離液面，并以不大于100℃/h的速率降至室溫，便可獲得大尺寸的金紅石晶體。
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