[發明專利]一種磁場可調的布拉格光纖太赫茲開關

無效

• 申請號: 201310069364.0
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN103149714A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 任廣軍;高欣
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;H01P1/10
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種磁場可調的布拉格光纖太赫茲開關，包括包層和纖芯，其特征在于所述包層采用高密度聚乙烯和向列相液晶E7交替排列，在填充液晶層的兩端用高阻硅封口，使液晶E7處于封閉腔內，中空的纖芯中放置銅絲，包層外周設置螺線管。

2.根據權利要求1所述的太赫茲開關，其特征在于所述包層包括12組交替排列的高密度聚乙烯和向列向液晶E7。

3.根據權利要求2所述的太赫茲開關，其特征在于所述太赫茲開關工作于1THz,開關的結構參數是:長度為10cm，纖芯半徑為1548μm；包層中每層高密度聚乙烯在太赫茲波段折射率為nH=1.5，厚度為2113μm；對于1THz的太赫茲波,每層液晶E7的折射率為n0=1.57和ne=1.76，液晶的厚度4016μm。

4.根據權利要求1、2或3所述的太赫茲開關，其特征在于所述中空纖芯中放置的銅絲半徑為280μm，銅絲的電導率取σ=51998×107S/m。

5.根據權利要求1、2或3所述的太赫茲開關，其特征在于所述高阻硅在太赫茲波段的折射率為3.418。