[發明專利]一種LED驅動電路

有效

• 申請號: 201310068470.7
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103152944A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

1.一種LED驅動電路，其特征在于，其包括：電感L1、二極管D1、電容C1、功率開關、采樣開關、電流采樣電路和電流模控制電路，

將電流采樣電路和電流模控制電路設置于第一晶片中，將功率開關和采樣開關設置于第二晶片中，

第二晶片采用垂直溝槽柵工藝制造，第一晶片的制造工藝與第二晶片的不同。

2.根據權利要求1所述的LED驅動電路，其特征在于，電感L1、二極管D1和電容C1依次串聯于輸入電壓和地之間，功率開關串聯在電感L1和二極管D1的中間節點和地之間，所述二極管D1和電容C1之間的節點為輸出節點。

3.根據權利要求1所述的LED驅動電路，其特征在于，所述采樣開關和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關上流過的電流并得到所述功率開關的采樣電流，所述電流模控制電路根據功率開關的采樣電流以及電流反饋電壓輸出開關控制信號來控制所述功率開關和所述采樣開關的導通和截止。

4.根據權利要求1-3任一所述的LED驅動電路，其特征在于，所述采樣開關和所述功率開關均是NMOSEFT，

所述采樣開關的漏極連接所述電流采樣電路，構成第二晶片的DS壓焊區，所述采樣開關的柵極與所述功率開關的柵極相連，構成第二晶片的G壓焊區，并與所述電流模控制電路的輸出端相連，所述功率開關的漏極接電感L1和二極管D1的中間節點，構成第二晶片的DN壓焊區，所述采樣開關的漏極與所述功率開關的漏極相連，構成第二晶片的S壓焊區，并接地。

5.根據權利要求4所述的LED驅動電路，其特征在于，第一晶片與第二晶片封裝在一起。

6.根據權利要求4所述的LED驅動電路，其特征在于，所述功率開關和所述采樣開關的結構相同，

所述功率開關包括N+襯底，形成于N+襯底上方的N-層，形成于N-層上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-層內的柵極，半圍繞所述柵極以將所述柵極隔離的柵氧層，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內的N+有源區和P+有源區，其中N+有源區形成功率開關的源極，P+有源區形成功率開關的襯體連接端，N+襯底形成功率開關的漏極，P+表示P型重摻雜，P-表示P型輕摻雜，N+表示N型重摻雜，N-表示N型輕摻雜，

在所述功率開關和所述采樣開關之間形成有DP區域，所述DP區域自所述功率開關與所述采樣開關之間的N-層的上表面向下延伸至N+襯底的下表面，隔離N-層和下部的N+層。

7.根據權利要求6所述的LED驅動電路，其特征在于，所述柵極的上表面暴露于所述柵氧層外，所述柵氧層為U形，P+有源區較N+有源區更遠離所述柵極，在所述柵極的兩側都設置有P+有源區和N+有源區，N+有源區和P+有源區相鄰接。

8.根據權利要求6所述的LED驅動電路，其特征在于，所述功率開關和所述采樣開關的制造過程如下：

在N-低摻雜的原始晶圓上注入P型材料以形成DP區域，產生兩個隔離的N-區域；

在N-低摻雜的晶圓底部除去DP區域外的部分進行N+注入；

經過刻蝕形成的溝槽，氧化產生柵氧層，然后在溝槽淀積多晶硅形成柵極；

進行摻雜注入，產生P-阱；

進行N+注入，進行P+注入，以形成自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內的N+有源區和P+有源區。

9.根據權利要求8所述的LED驅動電路，其特征在于，所述DP區域形成環形區域，在環形的DP區域內形成所述采樣開關，在環形的DP區域外形成所述功率開關。

10.根據權利要求8的所述的LED驅動電路，其特征在于，在N-低摻雜的原始晶圓上注入P型材料以形成DP區域包括：分別從N-低摻雜的原始晶圓的頂層注入和底層注入，最終兩次注入相連以形成所述DP區域。