[發明專利]測試基片去夾持終點的方法

有效

• 申請號: 201310068404.X
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN104037045A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 萬磊
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種測試基片去夾持終點的方法。

背景技術

等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平板的基片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當刻蝕劑源氣體的反應氣體，然后再對該真空反應室進行射頻能量輸入，以激活反應氣體，來激發和維持等離子體，以便分別刻蝕基片表面上的材料層或在基片表面上淀積材料層，進而對半導體基片和等離子平板進行加工。

等離子體處理腔室對基片執行制程過程中，基片被設置在腔室內的靜電夾盤上。靜電夾盤下方設置了一個直流電極，當直流電極連接了電源之后會產生一個靜電吸力，將基片夾持于靜電夾盤上。制程結束后，直流電極斷開與電源的連接，然后對基片進行去夾持。

工程師是依靠去夾持終點的信號來判斷基片去夾持是否成功，以進行后續的一系列工作。

因此去夾持終點的判斷精確性就尤為重要。

發明內容

針對背景技術中的上述問題，本發明提出了一種用于多腔室等離子處理裝置的減少顆粒污染的方法。

本發明第一方面提供了一種用于等離子體處理腔室的測試基片去夾持終點的方法，其中，所述等離子體處理腔室中設置有一基臺，所述基臺中包括靜電夾盤，所述基片設置于靜電夾盤上方，在所述基臺中設置了若干氣體通道，所述氣體通路下游連接有一由限流孔和閥門并聯而成的氣體回路，在所述氣體回路下游還依次連接有控制裝置和氣體供應裝置，其中，所述方法包括如下步驟：

步驟(b)，關閉所述控制裝置和閥門；

步驟(c)，測試所述氣體通道中的壓力，當所述氣體通道中的壓力在第一時間內達到第一變化率時則達到了去夾持終點。

進一步地，在步驟(b)之前還包括步驟(a)：打開所述閥門和控制裝置，使得所述氣體供應裝置持續供應氣體以對基片背面產生一個去夾持的力。

進一步地，在所述氣體回路之前還串聯有一個壓力測試計，其用以測試所述氣體通道中的壓力。

進一步地，所述等離子體處理腔室還包括若干個升舉頂針，其可移動地設置于所述基臺之中，其中，在所述步驟(c)之后還包括步驟(d)，提升所述若干個升舉頂針以施加一個升舉力至基片背面，使得其提升至超過所述靜電夾盤。

進一步地，所述等離子體處理腔室還包括一驅動裝置，其用以驅動所述升舉頂針移動。

進一步地，所述驅動裝置包括氣缸或電機。

進一步地，所述等離子體處理腔室的腔室側壁上還設置有一個傳輸窗口，所述腔室外部還設置有一機械手，其中，所述步驟(d)之后還包括步驟(e)：所述機械手通過所述傳輸窗口伸入腔室內部，并移動至所述基片上方。

進一步地，在所述步驟(e)之后還包括步驟(f)：裝載所述基片至所述機械手，所述機械手將基片通過所述傳輸門傳輸出腔室。

進一步地，所述第一時間的取值范圍是1秒至3秒。

進一步地，所述第一變化率的取值范圍為30%以上。

進一步地，所述方法還包括如下步驟：根據所述氣體通道中所需的氣體流量和/或流速來確定所述限流孔的孔徑。

本發明提供的去夾持終點測試機制更加精確可靠。

附圖說明

圖1是現有技術的用于等離子體處理腔室的氣體供應系統的結構示意圖；

圖2是根據本發明的一個具體實施例的用于等離子體處理腔室的氣體供應系統的結構示意圖；

圖3是根據本發明的一個具體實施例的用于等離子體處理腔室的測試基片去夾持終點方法的步驟流程圖;

圖4是現有技術和本發明的技術效果對比圖。

具體實施方式

以下結合附圖，對本發明的具體實施方式進行說明。

圖1是現有技術的用于等離子體處理腔室的氣體供應系統的結構示意圖。如圖1所示，等離子體腔室100中通入制程氣體，制程氣體由于通入了射頻能量而被激發產生等離子體，以對放置于靜電夾盤102上的基片101進行相關制程，例如刻蝕和沉積等。現有技術提供的供氣系統包括若干氣體通道103，氣體通道103進一步地依次串聯有控制裝置105和氣體供應裝置106。其中，供氣裝置106用于持續供應氣體。在控制裝置105上游還設置了一個閥門107。