[發明專利]用于三維集成電路的裝置和方法

有效

• 申請號: 201310067840.5
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103855132A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 吳勝郁;蔡佩君;張志鴻;郭庭豪;陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種結構，包括：

襯底，包括位于所述襯底的頂面上的多條線；

多個連接件，形成在半導體管芯的頂面上，所述半導體管芯接合至所述襯底并通過所述多個連接件連接至所述襯底；以及

偽金屬結構，形成在所述襯底的頂面的角部處，所述偽金屬結構具有兩個不連續部分。

2.根據權利要求1所述的結構，其中：

所述連接件由銅形成；以及

所述連接件和所述線形成多個銅柱導線直連(BOT)結構。

3.根據權利要求2所述的結構，其中，所述連接件包括：

銅部；以及

焊料部，形成在所述銅部的頂部上。

4.根據權利要求1所述的結構，其中，所述偽金屬結構由銅形成。

5.根據權利要求1所述的結構，其中，所述角部包括：

中心區域，包括以行和列配置的多個銅柱導線直連結構；

邊緣區域，被阻焊層所覆蓋；以及

外圍區域，位于所述中心區域和所述邊緣區域之間，所述偽金屬結構的不連續部分位于所述外圍區域中。

6.根據權利要求1所述的結構，其中：

所述偽金屬結構的第一不連續部分與所述偽金屬結構的第二不連續部分隔開大于約120um的距離。

7.根據權利要求1所述的結構，其中：

所述角部的長度等于所述襯底的頂面的長度的三分之一；以及

所述角部的寬度等于所述襯底的頂面的寬度的三分之一。

8.一種方法，包括：

在襯底的頂面上形成多條線和偽金屬結構，所述偽金屬結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分與所述第二部分隔開一間隙并且所述偽金屬結構位于兩條鄰近的線之間的空置空間處；

在所述襯底的頂面的邊緣區域上形成阻焊層；

在所述襯底上方安裝半導體管芯，所述半導體管芯包括位于所述半導體管芯的第一側上的多個連接件，并且所述襯底的頂面的中心區域在所述半導體管芯的下方；以及

在所述邊緣區域和所述中心區域之間形成外圍區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其中：

所述間隙位于所述外圍區域中。

10.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述襯底的頂面的角部中形成第一線、第二線和第一偽金屬結構，其中：

在所述襯底的頂面的角部中，所述第二線鄰近所述第一線；以及

所述第一偽金屬結構包括第一導電部分、第二導電部分和所述第一導電部分與所述第二導電部分之間的間隙，并且所述間隙位于所述外圍區域中且所述第一偽金屬結構位于所述第一線和所述第二線之間的空置空間處。