[發(fā)明專利]一種薄膜電容器用復(fù)合基板的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310067011.7
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103173704A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢時昌
• 申請（專利權(quán)）人: 溧陽華晶電子材料有限公司
• 主分類號: C22F1/10
• 分類號: C22F1/10;C22F1/08;H01G4/33;H01G4/002;B21B1/40
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 蔣家華

1.一種薄膜電容器用復(fù)合基板的制造方法，所述方法依次包括如下步驟：

（1）準(zhǔn)備如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的鎳，其余0.02重量%為多種雜質(zhì)，所述多種雜質(zhì)包括：0.0005-0.0008重量%的錳，0.005-0.008重量%的鋁、0.001-0.002重量%的銀、0.0005-0.001重量%的鉻，0.004-0.006重量%的鐵、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的銻以及0.001-0.002重量%的鉭；

（2）第一次軋制：將上述原料熔融后，對其進(jìn)行第一次軋制，該第一次軋制所得的鎳基板為箔片狀，其厚度為3-5毫米；

（3）第一次熱退火，步驟（2）所得的鎳基板箔片進(jìn)行第一次熱退火，退火溫度為650-800℃，退火時間為60分鐘；

（4）第二次軋制，對步驟（3）所得的鎳基板箔片進(jìn)行第二次軋制，第二次軋制后得到厚度更小的箔片，其厚度為1-2毫米；

（5）第二次熱退火，將步驟（4）所得的鎳基板箔片進(jìn)行第二次熱退火，退火溫度為650-800℃，退火時間為40分鐘；

（6）將步驟（5）所得的鎳基板貼合到銅基板上進(jìn)行第三次軋制，軋制后形成厚度為200-300微米的復(fù)合基板箔片；

（7）第三次熱退火，將步驟（6）所得的復(fù)合基板箔片進(jìn)行第三次熱退火，退火溫度為700-800℃，退火時間為30分鐘；

（8）將步驟（7）所得的復(fù)合基板箔片裁出需要的尺寸后完成復(fù)合基板的制造。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述薄膜電容器用復(fù)合基板的厚度為200-300微米，優(yōu)選240微米。